何德湛 副研究员。生于 1941年 10月，广州人，毕业于华南理工大学。现任职于中国科学院上海冶金所微电子学分部。60年代末，在国内第一台“半导体激光通信机”项目中，负责该机关键元件之一“高速大电流半导体闸流管”研制工作，为国内首先开发成功，该机获1978年全国科学大会奖。参加“六五”攻关“高速双极型 LSI工艺研究”项目，获 1986年中国科学院特别奖、科技进步三等奖；发表论文《亚毫微秒高速双极IC的薄层外延》，参加“863”项目“光电子时钟分配系统”获1992年中国科学院科技进步二等奖；发表论文《高速双极集成电路中的快速热退火》。80年代初，根据器件原理，创制新的“台面型半导体器件的制造方法”取得国家发明专利。已出版的第一作者论文，主要还有《PNPN管原理在分析CMOS寄生效应中的应用》（此文新观点可解析一系列现象，并得到应用）、《半导体工艺线上的C—T检测及其应用》等30多篇。