IRF740
IRF740
IRF740概述：
IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
新系列的低电荷Power MOSFET IRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF740LC减少了转换损耗，效能得到强化。
TO-220封装的IRF740普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF740得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF740适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF740特性：
动态dv/dt率
可恢复性雪崩测定
快速转换速率
并行简易
仅需简单驱动
贴片安装 - IRF740S、IRF740AS
可选卷带包装 - IRF740S、IRF740AS
超低栅电荷 - IRF740LC
增强VGS等级 30 V - IRF740LC
极高工作频率 - IRF740LC
无铅环保
IRF740参数：
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8.7A
电压, Vgs 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vds 最高:700mV
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SMD标号:F7401
功率, Pd:2.5W
外宽:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部长度/高度:1.75mm
封装类型:SOIC
排距:6.3mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
满功率温度:25C
表面安装器件:表面安装