IRL640S
IRL640S
基本信息:
HEXFET功率场效应管
逻辑电平门驱动
快速开关功能
功耗:125W
栅源电压: 10V
雪崩电压:10A
单脉冲雪崩能量:580mJ
重复雪崩能量:13mJ
通态电阻:0.18ohm
漏源击穿电压:200V
栅极门限电压:1.0~2.0V
栅源漏电流: 100nA
总跨导:66nC
结温:-55℃ ~+150℃
封装:SMD-220
最大功率 :3.1W
安装类型 : 表面贴装
漏极至源极电压(Vdss) :200V
FET 特点 :逻辑电平门
FET 型 :N 沟道
封装/外壳 :D2Pak,TO-263(2 引线 + 接片)
包装 :管件