“掺杂”查询结果
掺杂
【词语】 chān zá 动 （搀杂） 混杂；使混杂。 例句： 1 别把不同的种子~在一起。 2 喝骂声和哭叫声~在一起。 3 依法办事不能~私人感情。 【材料学】doping 在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为 掺杂 。 例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各 详情>>
半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。(1)热扩散技术：对于施主或受主杂质的掺入，就需要进行较高温度的热扩散。因为施主或受主杂质原子的半径一般都比较大，它们要直接进入半导体晶格的间隙中去是很困难的；只有当晶体中出现有晶格空位后，杂质原子才 详情>>
掺杂光纤放大器又称为掺稀土OFA。制作光纤时，采用特殊工艺，在光纤芯层沉积中掺入极小浓度的稀土元素，如铒、镨或铷等离子，可制作出相应的掺铒、掺镨或掺铷光纤。光纤中掺杂离子在受到泵浦光激励后跃迁到亚稳定的高激发态，在信号光诱导下，产生受激辐射，形成对信号光的相干放大。这种OFA实质上是一种特殊的激光器，它的工作腔是一段掺稀土粒子光纤，泵浦光源一般采用半导体激光器。当前光纤通信系统工作在两个低损耗窗口 详情>>
掺杂气体(DopantGases) 气体工业名词，在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造PN结，电阻，埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷，磷烷，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周， 详情>>
dopingeffect当氧化物中掺入另一种价态不同的阳离子时，由于阳离子之间的相互作用和电荷重新分布，使氧化物中的离子缺陷浓度和电子缺陷浓度发生变化。对于n型和p型氧化物，高价阳离子和低价阳离子的掺杂效应各不相同，其结果可导致氧化速度升高或降低。应用于高温氧化研究和抗氧化涂层设计中。 详情>>
【英：Doping】硅（或锗）的导电性会因为在纯净半导体材料中加入杂质而明显增强。这个掺杂过程是使载流子（电子或空穴）的数量增加，从而增强了导电性、减小了阻碍性。杂质的两种类型分别是N型和P型。 详情>>
中文名称 掺杂铕的硼磷钒酸钇 英文名称 Yttriumboratephosphatevanadateeuropium-doped CASNO. 68784-82-7EINECS 272-275-7 详情>>
electrochemicaldoping电化学掺杂是以电极为介质，提供(n型掺杂)或者接收(p型掺杂)电子，作为氧化或还原手段，从而改变共轭聚合物的荷电状态，达到提高其导电能力的目的。电化学掺杂的原理与电极参与的电化学氧化或者还原反应是相同的，电极电势要满足≥聚合物还原或者氧化电位的条件。(CH)x—e→(CH)x+(CH)x+e→(CH)x-与化学掺杂相比，电化学掺杂没有实质性物质参与，因而不 详情>>
Channeldoping，沟道掺杂这是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。 详情>>
dedoping；undoping掺杂的逆过程，目的是消除掺杂作用和影响。去掺杂主要有三种方法：（1）如果掺杂剂是挥发性的，同时掺杂剂与聚合物基体是简单结合状态，可以用提高温度或者减低压力的办法除去掺杂剂；（2）当掺杂剂为非挥发剂，或者结合比较紧密时，可以采用加入反应性更强的还原剂或氧化剂与掺杂剂反应，消除掺杂影响；（3）对于电化学掺杂导电聚合物可以采用施加相反电压的方法去掺杂，但是应当注意施加电 详情>>
各乡镇（ 区）人民政府（管委），县府有关工作部门：为严厉打击电煤掺杂使假的违法行为，按照《遵义市打击电煤掺杂使假专项整治行动方案》要求，结合我县电煤保障工作实际，县人民政府决定成立打击电煤掺杂使假领导小组，现将领导小组组成人员及相关单位工作职责通知如下：一、领导小组成员名单组 长：袁健宏（县人民政府副县长）副组长：邱继维（县政府办公室副主任）张党生（县质监局局长）成 员：廖 秋（县煤管局副局长）冯 详情>>
由于热蒸发或者化学发应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的硅和杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。 详情>>
图书相信内容简介目录前言图书相信作 者：刘永长等著丛书名：材料科学技术著作丛书出版社：科学出版社ISBN：9787030231888出版时间：2009-02-01版 次：1页 数：136装 帧：平装开 本：32开所属分类：图书>科学与自然>物理学内容简介《MgB2超导体的成相与掺杂机理》首先介绍了MgB2的超导性能及发展概况，系统地研究了其成相热力学和动力学，同时对其烧结成相过程进行了 详情>>
【词语】chānzá动（搀杂）混杂；使混杂。例句：1别把不同的种子~在一起。2喝骂声和哭叫声~在一起。3依法办事不能~私人感情。【材料学】doping在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中 详情>>
掺杂剂dopant掺杂过程实质上是导电聚合物的一个氧化或还原过程，所使用的氧化剂或还原剂在掺杂过程中称为掺杂剂。具有氧化能力的掺杂剂称为p型掺杂剂，是电子接收体；相反，具有还原能力的掺杂剂称为n型掺杂剂，是电子给予体。主要p型掺杂剂包括以碘为主的卤族元素，卤族元素的高价态金属化合物和某些金属的高氯酸和硝酸盐。n型掺杂剂主要为以钠、钾、锂为代表的碱金属及其有机化合物。掺杂剂在使用过程中可以是气态、液 详情>>
（1）基本概念：半导体异质结是许多微电子器件和光电子器件工作的基础。如果异质结的两边掺杂情况不同，则异质结的性质也将不同。调制掺杂异质结就是在一边掺杂、另一边不掺杂的异质结；对于突变调制掺杂异质结，其中的载流子具有很多特殊的性能，在器件应用中有很大的价值。（2）突变异质结中的二维电子气：对于突变异质结，由于导带底能量突变量ΔEc的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电 详情>>
氧化锌半导体材料掺杂技术与应用，作者叶志镇，浙江大学出版社2009年出版。全书共分七章，系统介绍了氧化锌的基本知识，重点介绍了氧化锌半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用，对氧化锌纳米材料的相关内容也有所涉及，叙述了氧化锌研究和开发应用领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考，也可作为高等院校材 详情>>
本书在综述国内外氧化锆陶瓷及其复合材料研究现状的基础上，从化学及材料学的角度，阐述了氧化锆陶瓷的结构、性能和特点，并在此基础上结合作者多年的研究工作，针对氧化锆基复合材料掺杂稳定机制、溶液中氧化锆多晶形核和生长动力学过程及其氧化锆团簇的生长模式及稳定性等问题。利用密度泛函理论优化计算了氧化锆陶瓷团簇各种可能的结构，从液相和气相两方面进行了较为系统的实验和理论研究，旨在从原子和分子级水平上探索这类材 详情>>
中子嬗变掺杂，NeutronTransmutationDoping(NTD)：这是采用中子辐照的办法来对材料进行掺杂的一种技术，其最大优点就是掺入的杂质浓度分布非常均匀。对于半导体硅，通过热中子的辐照，可使部分的Si同位素原子转变为磷（P）原子[14Si31的半衰期为2.62小时]：14Si30+中子→14Si31+γ射线→→15P31+β射线；从而在Si中出现了施主磷而使Si成为了n型。对于Ge 详情>>
掺杂光纤放大器又称为掺稀土OFA。制作光纤时，采用特殊工艺，在光纤芯层沉积中掺入极小浓度的稀土元素，如铒、镨或铷等离子，可制作出相应的掺铒、掺镨或掺铷光纤。光纤中掺杂离子在受到泵浦光激励后跃迁到亚稳定的高激发态，在信号光诱导下，产生受激辐射，形成对信号光的相干放大。这种OFA实质上是一种特殊的激光器，它的工作腔是一段掺稀土粒子光纤，泵浦光源一般采用半导体激光器。当前光纤通信系统工作在两个低损耗窗口 详情>>
掺杂气体(DopantGases) 气体工业名词，在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造PN结，电阻，埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷，磷烷，三氟化磷，五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周， 详情>>
dopingeffect当氧化物中掺入另一种价态不同的阳离子时，由于阳离子之间的相互作用和电荷重新分布，使氧化物中的离子缺陷浓度和电子缺陷浓度发生变化。对于n型和p型氧化物，高价阳离子和低价阳离子的掺杂效应各不相同，其结果可导致氧化速度升高或降低。应用于高温氧化研究和抗氧化涂层设计中。 详情>>
【英：Doping】硅（或锗）的导电性会因为在纯净半导体材料中加入杂质而明显增强。这个掺杂过程是使载流子（电子或空穴）的数量增加，从而增强了导电性、减小了阻碍性。杂质的两种类型分别是N型和P型。 详情>>
中文名称 掺杂铕的硼磷钒酸钇 英文名称 Yttriumboratephosphatevanadateeuropium-doped CASNO. 68784-82-7EINECS 272-275-7 详情>>
electrochemicaldoping电化学掺杂是以电极为介质，提供(n型掺杂)或者接收(p型掺杂)电子，作为氧化或还原手段，从而改变共轭聚合物的荷电状态，达到提高其导电能力的目的。电化学掺杂的原理与电极参与的电化学氧化或者还原反应是相同的，电极电势要满足≥聚合物还原或者氧化电位的条件。(CH)x—e→(CH)x+(CH)x+e→(CH)x-与化学掺杂相比，电化学掺杂没有实质性物质参与，因而不 详情>>
Channeldoping，沟道掺杂这是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。 详情>>
dedoping；undoping掺杂的逆过程，目的是消除掺杂作用和影响。去掺杂主要有三种方法：（1）如果掺杂剂是挥发性的，同时掺杂剂与聚合物基体是简单结合状态，可以用提高温度或者减低压力的办法除去掺杂剂；（2）当掺杂剂为非挥发剂，或者结合比较紧密时，可以采用加入反应性更强的还原剂或氧化剂与掺杂剂反应，消除掺杂影响；（3）对于电化学掺杂导电聚合物可以采用施加相反电压的方法去掺杂，但是应当注意施加电 详情>>
各乡镇（ 区）人民政府（管委），县府有关工作部门：为严厉打击电煤掺杂使假的违法行为，按照《遵义市打击电煤掺杂使假专项整治行动方案》要求，结合我县电煤保障工作实际，县人民政府决定成立打击电煤掺杂使假领导小组，现将领导小组组成人员及相关单位工作职责通知如下：一、领导小组成员名单组 长：袁健宏（县人民政府副县长）副组长：邱继维（县政府办公室副主任）张党生（县质监局局长）成 员：廖 秋（县煤管局副局长）冯 详情>>
习水县 习水 水县 人民政府 人民 民政 政府 办公室 办公 公室 关于 成立 打击 电煤 掺杂使假 掺杂 杂使 使假 领导 小组 通知
由于热蒸发或者化学发应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的硅和杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。 详情>>
图书相信内容简介目录前言图书相信作 者：刘永长等著丛书名：材料科学技术著作丛书出版社：科学出版社ISBN：9787030231888出版时间：2009-02-01版 次：1页 数：136装 帧：平装开 本：32开所属分类：图书>科学与自然>物理学内容简介《MgB2超导体的成相与掺杂机理》首先介绍了MgB2的超导性能及发展概况，系统地研究了其成相热力学和动力学，同时对其烧结成相过程进行了 详情>>
MgB2 MgB 超导体 超导 导体 的成 相与 掺杂 机理
【词语】chānzá动（搀杂）混杂；使混杂。例句：1别把不同的种子~在一起。2喝骂声和哭叫声~在一起。3依法办事不能~私人感情。【材料学】doping在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中 详情>>
掺杂剂dopant掺杂过程实质上是导电聚合物的一个氧化或还原过程，所使用的氧化剂或还原剂在掺杂过程中称为掺杂剂。具有氧化能力的掺杂剂称为p型掺杂剂，是电子接收体；相反，具有还原能力的掺杂剂称为n型掺杂剂，是电子给予体。主要p型掺杂剂包括以碘为主的卤族元素，卤族元素的高价态金属化合物和某些金属的高氯酸和硝酸盐。n型掺杂剂主要为以钠、钾、锂为代表的碱金属及其有机化合物。掺杂剂在使用过程中可以是气态、液 详情>>
（1）基本概念：半导体异质结是许多微电子器件和光电子器件工作的基础。如果异质结的两边掺杂情况不同，则异质结的性质也将不同。调制掺杂异质结就是在一边掺杂、另一边不掺杂的异质结；对于突变调制掺杂异质结，其中的载流子具有很多特殊的性能，在器件应用中有很大的价值。（2）突变异质结中的二维电子气：对于突变异质结，由于导带底能量突变量ΔEc的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电 详情>>
氧化锌半导体材料掺杂技术与应用，作者叶志镇，浙江大学出版社2009年出版。全书共分七章，系统介绍了氧化锌的基本知识，重点介绍了氧化锌半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用，对氧化锌纳米材料的相关内容也有所涉及，叙述了氧化锌研究和开发应用领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考，也可作为高等院校材 详情>>
氧化锌 氧化 化锌 半导体 半导 导体 材料 掺杂 技术 应用
本书在综述国内外氧化锆陶瓷及其复合材料研究现状的基础上，从化学及材料学的角度，阐述了氧化锆陶瓷的结构、性能和特点，并在此基础上结合作者多年的研究工作，针对氧化锆基复合材料掺杂稳定机制、溶液中氧化锆多晶形核和生长动力学过程及其氧化锆团簇的生长模式及稳定性等问题。利用密度泛函理论优化计算了氧化锆陶瓷团簇各种可能的结构，从液相和气相两方面进行了较为系统的实验和理论研究，旨在从原子和分子级水平上探索这类材 详情>>
氧化锆 氧化 化锆 陶瓷 掺杂 稳定 生长 动力学 动力 力学
中子嬗变掺杂，NeutronTransmutationDoping(NTD)：这是采用中子辐照的办法来对材料进行掺杂的一种技术，其最大优点就是掺入的杂质浓度分布非常均匀。对于半导体硅，通过热中子的辐照，可使部分的Si同位素原子转变为磷（P）原子[14Si31的半衰期为2.62小时]：14Si30+中子→14Si31+γ射线→→15P31+β射线；从而在Si中出现了施主磷而使Si成为了n型。对于Ge 详情>>