“砷化”查询结果
电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶。最早使用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，现在主要使用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。也可以用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。 详情>>
产品特点：技术参数：产品特性：产品特点：*整机体积小、重量轻，防水、防尘、防爆、防震设计*高精度、高分辨率，响应迅速*采用大容量锂电充电电池，可长时间连续工作*数字LCD背光显示，声光、振动报警功能*传感器采用m305283具有世界一流水平中西的进口原装电化学传感器*上、下限报警值可任意设定，自带零点和目标点校准功*内置温度补偿，维护方便*数据恢复功能，免去误操作引起的后顾之忧*外壳采用特殊材质及 详情>>
基本信息性质描述其他信息基本信息CAS登录号:12044-55-2中文名称:砷化锌;二砷化锌英文名称:Zincarsenide(ZnAs2)英文别名:Zincdiarsenide;Zincperarsenide分子式:As2Zn-4分子量:215.25EINECS登录号:234-956-7性质描述砷化锌(12044-55-2)的性状：其外观呈银灰色块状。其他信息砷化锌(12044-55-2)的危害 详情>>
基本信息中文名称砷化钠化学式Na3As分子量144实验室制法由砷和钠在强热下制得性质不稳定，在潮湿空气中或水中分解，放出剧毒气体砷化氢。遇酸亦放出剧毒气体砷化氢。Na3As+3HCl→3NaCl+AsH3↑Na3As+3H2O→3NaOH+AsH3↑ 详情>>
砷化氢气体特性:砷化氢检测仪特性（YT-1200H-AsH3):砷化氢检测仪（YT-1200H-ASH3）的技术参数:砷化氢气体特性:砷化氢气体为剧毒气体，它是一些工业生产过程中产生的废毒气体。在职业接触多种金属(如锌、锡、锑、铅、铜等)矿石中常含有硫化砷。含砷矿石在冶炼、加工、储存过程中遇酸(硫酸、盐酸)、湿均可产生砷化氢。因此在很多化工环境下都有可能产生砷化氢气体，职业性急性砷化氢中毒是指在职 详情>>
基本概述发病原因发病机理疾病检查临床表现诊断方法治疗标准疾病预防基本概述砷化氢为无色气体，是极强的溶血毒物。含砷金属与硫酸或盐酸接触即产生砷化氢，工业生产中当含砷金属矿渣遇到潮湿空气或水时即可产生砷化氢（在工业上无直接用途，属于一种废气）。发病原因砷中毒。发病机理有呼吸道吸收进入人体，进入血液的砷化氢95%～99%以非挥发性形式与红细胞中的血红蛋白结合而引起溶血。无论在体内或体外，已观察到巯基有保 详情>>
砷化铟(indiumarsenide)砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为O．6058nm，密度为5．66g/cm(固态)、5．90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)O．45eV。InAs相图如图所示。InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有O．033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LE 详情>>
中文同义词:砷化镉;砷化镉99%(METALSBASIS)CBNumber:CB5107038CAS：12006-15-4分子式:As2Cd3分子量:487.08外观灰黑色固体 详情>>
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GaAsepitaxialwafer在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2～5的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。 详情>>
企业简介深圳市沃赛特科技有限公司是专业经营易燃、易爆及有毒气体检测报警安全设备，集设计、开发、制造、销售和服务于一体的高科技公司。公司成立至今，销售网络遍布全国各地，用户广泛分布于石油、石化、化工、煤炭、冶金、电力、市政、消防、医药、电信等行业。沃赛特科技现已开发的产品包括：MIC2000气体报警控制器、DR60C系列无显示气体探测器、DR70C系列RS485/4-20ma独立双信号输出带显示气体 详情>>
病因发病特征医治措施([处方])病因由于采食了被砷制剂污染的饲料，或使用含砷药物（如新砷凡纳明，砒霜等）过量引起。发病特征以呕吐，下痢，血便，肌肉震颤，步态不稳为特征。医治措施治宜排毒，解毒。[处方]2%氧化镁溶液适量。用法：反复洗胃。 详情>>
一种材料,化学符号为InGaAs，主要应用于电子半导体领域，电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度.广泛用于探测器! 详情>>
砷化铝（Aluminiumarsenide）是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系，熔点是1740°C，密度是3.76g/cm³，而且它很容易潮解。它的CAS编号为22831-42-1。 详情>>
简介接触机会基本资料物性数据相关化学反应(热分解氧化作用制备金属衍生物古特蔡特测砷法酸-碱反应与卤化物的反应生成联胂的反应)应用范围(半导体中的应用化学战中的应用用于砷中毒的探测)实验室制备方法对环境的影响(健康危害毒理学资料及环境行为)应急处理处置方法(泄漏应急处理防护措施急救措施)毒理学简介临床表现处理标准危害(危害来源中毒临床表现)防护措施(紧急处理日常防护)简介砷化氢（化学式：AsH3）又 详情>>
砷化氢除砷吸附剂简介1、化学通式：Al2O3nH2On<12、性能和用途：本产品为X-ρ型砷化氢除砷吸附剂、白色球、吸附水的能力强。在一定的操作条件和再生条件下它的干燥深度高达露点温度-40℃以下，是一种微量水深度干燥的高效干燥剂。广泛用于石油化工的气、液相干燥，用于纺织工业、制氧工业以及自动化仪表风的干燥，空分行业变压吸附等。由于单分子吸附层净热量高，所以非常适用于无热再生装置。砷化氢除砷 详情>>
砷化氢中毒是指在职业活动中，短期内吸入较高浓度砷化氢气体所致的以急性血管内溶血为主的全身性疾病，严重者可发生急性肾功能衰竭。毒理学临床表现诊断原则处理方法治疗原则护理常识毒理学人吸入TCL0:3ppm;LCL0:25ppm/30M，300ppm/5M。人（男性）吸入TCL0:325ug/m3。大鼠吸入LC50:390mg/m3/10M。小鼠吸入LC50:250mg/m3/10M。砷化氢经呼吸道吸入 详情>>
（arsenides）金属与砷生成的化合物。自然界中存在砷铜矿Cu3As、斜方砷铁矿FeAs2、砷钴矿CoAS2等砷化物。碱金属和碱土金属的砷化物及砷化锌Zn3As2等是离子型化合物，易被水或酸分解而产生砷化氢。很多金属的砷化物显示金属间化合物的性质。砷化物可由化学计量的金属和砷直接化合而制得。砷化物中应用最广的是砷化镓，为优良的半导体材料。 详情>>
中文名称砷化锌英文名称zincdiarsenideCASNO.12044-55-2EINECS234-956-7分子式AS2ZN分子量213毒性：剧毒制法由锌和砷加热制得。 详情>>
（galliumarsenide）化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓简介砷化镓基本属性砷化镓单晶生产技术砷化镓晶片发展前景砷化镓简介一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964 详情>>
名称:砷化镓硅片主题词或关键词:信息科学砷化镓硅片内容２０世纪８０年代初，技术专家认为砷化镓将在制造半导体中最终取代硅。这是因为电子在砷化镓中运动的速度比在硅中运动的速度快５至１０倍。但砷化镓比较难于制造和加工，在它上面组装晶体管不能像在硅片上那样密集，价格也高。美国的盖泽尔公司因此采取了新的战略：要使砷化镓像硅一样容易使用。如果芯片运算的速度是硅片的２至３倍，而不是５至１０倍，就可能达到这个目的 详情>>
用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料 详情>>
砷化镓晶体CrystalIngots砷化镓GaAs(Galliumarsenide)是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。由于传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特色，而砷化镓本身具有光电特 详情>>
Bridgman法生长GaA疑难解析Bridgman法生长GaA水平Bridgman方法和它的各种改进型，占据了GaAs生长的半数以上的市场。将固态的镓和砷原料装入一个熔融石英制的安瓿中，然后将其密封。多数情况下，安瓿包括一个容纳固体砷的独立腔室，它通过一个有限的孔径通向主腔，这个含砷的腔室可以提供维持化学配比所需的砷过压。安瓿安置在一个SiC制的炉管内，炉管责置于一个半圆形的，通常也是SiC制的 详情>>
近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。常用薄膜电池转化率较低，因此 详情>>
产品特点：技术参数：产品特性：产品特点：*整机体积小、重量轻，防水、防尘、防爆、防震设计*高精度、高分辨率，响应迅速*采用大容量锂电充电电池，可长时间连续工作*数字LCD背光显示，声光、振动报警功能*传感器采用m305283具有世界一流水平中西的进口原装电化学传感器*上、下限报警值可任意设定，自带零点和目标点校准功*内置温度补偿，维护方便*数据恢复功能，免去误操作引起的后顾之忧*外壳采用特殊材质及 详情>>
基本信息性质描述其他信息基本信息CAS登录号:12044-55-2中文名称:砷化锌;二砷化锌英文名称:Zincarsenide(ZnAs2)英文别名:Zincdiarsenide;Zincperarsenide分子式:As2Zn-4分子量:215.25EINECS登录号:234-956-7性质描述砷化锌(12044-55-2)的性状：其外观呈银灰色块状。其他信息砷化锌(12044-55-2)的危害 详情>>
基本信息中文名称砷化钠化学式Na3As分子量144实验室制法由砷和钠在强热下制得性质不稳定，在潮湿空气中或水中分解，放出剧毒气体砷化氢。遇酸亦放出剧毒气体砷化氢。Na3As+3HCl→3NaCl+AsH3↑Na3As+3H2O→3NaOH+AsH3↑ 详情>>
砷化氢气体特性:砷化氢检测仪特性（YT-1200H-AsH3):砷化氢检测仪（YT-1200H-ASH3）的技术参数:砷化氢气体特性:砷化氢气体为剧毒气体，它是一些工业生产过程中产生的废毒气体。在职业接触多种金属(如锌、锡、锑、铅、铜等)矿石中常含有硫化砷。含砷矿石在冶炼、加工、储存过程中遇酸(硫酸、盐酸)、湿均可产生砷化氢。因此在很多化工环境下都有可能产生砷化氢气体，职业性急性砷化氢中毒是指在职 详情>>
基本概述发病原因发病机理疾病检查临床表现诊断方法治疗标准疾病预防基本概述砷化氢为无色气体，是极强的溶血毒物。含砷金属与硫酸或盐酸接触即产生砷化氢，工业生产中当含砷金属矿渣遇到潮湿空气或水时即可产生砷化氢（在工业上无直接用途，属于一种废气）。发病原因砷中毒。发病机理有呼吸道吸收进入人体，进入血液的砷化氢95%～99%以非挥发性形式与红细胞中的血红蛋白结合而引起溶血。无论在体内或体外，已观察到巯基有保 详情>>
砷化铟(indiumarsenide)砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为O．6058nm，密度为5．66g/cm(固态)、5．90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)O．45eV。InAs相图如图所示。InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有O．033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LE 详情>>
中文同义词:砷化镉;砷化镉99%(METALSBASIS)CBNumber:CB5107038CAS：12006-15-4分子式:As2Cd3分子量:487.08外观灰黑色固体 详情>>
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砷化镓 砷化 化镓 p-n 注入式 注入 入式 激光器 激光 光器
GaAsepitaxialwafer在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2～5的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。 详情>>
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深圳 砷化 化氢 检测仪 检测 测仪 有限公司 有限 限公 公司
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一种材料,化学符号为InGaAs，主要应用于电子半导体领域，电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度.广泛用于探测器! 详情>>
砷化铝（Aluminiumarsenide）是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系，熔点是1740°C，密度是3.76g/cm³，而且它很容易潮解。它的CAS编号为22831-42-1。 详情>>
简介接触机会基本资料物性数据相关化学反应(热分解氧化作用制备金属衍生物古特蔡特测砷法酸-碱反应与卤化物的反应生成联胂的反应)应用范围(半导体中的应用化学战中的应用用于砷中毒的探测)实验室制备方法对环境的影响(健康危害毒理学资料及环境行为)应急处理处置方法(泄漏应急处理防护措施急救措施)毒理学简介临床表现处理标准危害(危害来源中毒临床表现)防护措施(紧急处理日常防护)简介砷化氢（化学式：AsH3）又 详情>>
砷化氢除砷吸附剂简介1、化学通式：Al2O3nH2On<12、性能和用途：本产品为X-ρ型砷化氢除砷吸附剂、白色球、吸附水的能力强。在一定的操作条件和再生条件下它的干燥深度高达露点温度-40℃以下，是一种微量水深度干燥的高效干燥剂。广泛用于石油化工的气、液相干燥，用于纺织工业、制氧工业以及自动化仪表风的干燥，空分行业变压吸附等。由于单分子吸附层净热量高，所以非常适用于无热再生装置。砷化氢除砷 详情>>
砷化氢中毒是指在职业活动中，短期内吸入较高浓度砷化氢气体所致的以急性血管内溶血为主的全身性疾病，严重者可发生急性肾功能衰竭。毒理学临床表现诊断原则处理方法治疗原则护理常识毒理学人吸入TCL0:3ppm;LCL0:25ppm/30M，300ppm/5M。人（男性）吸入TCL0:325ug/m3。大鼠吸入LC50:390mg/m3/10M。小鼠吸入LC50:250mg/m3/10M。砷化氢经呼吸道吸入 详情>>
（arsenides）金属与砷生成的化合物。自然界中存在砷铜矿Cu3As、斜方砷铁矿FeAs2、砷钴矿CoAS2等砷化物。碱金属和碱土金属的砷化物及砷化锌Zn3As2等是离子型化合物，易被水或酸分解而产生砷化氢。很多金属的砷化物显示金属间化合物的性质。砷化物可由化学计量的金属和砷直接化合而制得。砷化物中应用最广的是砷化镓，为优良的半导体材料。 详情>>
中文名称砷化锌英文名称zincdiarsenideCASNO.12044-55-2EINECS234-956-7分子式AS2ZN分子量213毒性：剧毒制法由锌和砷加热制得。 详情>>
（galliumarsenide）化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓简介砷化镓基本属性砷化镓单晶生产技术砷化镓晶片发展前景砷化镓简介一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964 详情>>
名称:砷化镓硅片主题词或关键词:信息科学砷化镓硅片内容２０世纪８０年代初，技术专家认为砷化镓将在制造半导体中最终取代硅。这是因为电子在砷化镓中运动的速度比在硅中运动的速度快５至１０倍。但砷化镓比较难于制造和加工，在它上面组装晶体管不能像在硅片上那样密集，价格也高。美国的盖泽尔公司因此采取了新的战略：要使砷化镓像硅一样容易使用。如果芯片运算的速度是硅片的２至３倍，而不是５至１０倍，就可能达到这个目的 详情>>
用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料 详情>>
砷化镓晶体CrystalIngots砷化镓GaAs(Galliumarsenide)是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作磊晶片。由于传送讯号的射频元件需要工作频率高、低功率消耗、低杂讯等特色，而砷化镓本身具有光电特 详情>>
Bridgman法生长GaA疑难解析Bridgman法生长GaA水平Bridgman方法和它的各种改进型，占据了GaAs生长的半数以上的市场。将固态的镓和砷原料装入一个熔融石英制的安瓿中，然后将其密封。多数情况下，安瓿包括一个容纳固体砷的独立腔室，它通过一个有限的孔径通向主腔，这个含砷的腔室可以提供维持化学配比所需的砷过压。安瓿安置在一个SiC制的炉管内，炉管责置于一个半圆形的，通常也是SiC制的 详情>>
近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。常用薄膜电池转化率较低，因此 详情>>