“载流子”查询结果
载流子
释词：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。 学术解释 学术定义 参考资料-推算公式 详情>>
本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度。 详情>>
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在本征激发的条件下所产生的自由电子，将在电场的作用下定向形成电流，我们将这中自由电子称为电子载流子。 详情>>
半导体物理释义物理意义半导体物理释义非平衡载流子寿命（nonequilibriumcarrierlifetime）当半导体由于外界作用注入非平衡载流子时，它处于非平衡状态。物理意义载流子间的复合使非平衡载流子逐渐消失。在注入非平衡载流子浓度不是太大的简单情况下，非平衡载流子按下列规律消失：Δn=(Δn)0exp(-t/τ)。显然，式中τ即为非平衡载流子平衡平均存在的时间，通常称为非平衡载流子寿命。 详情>>
photogenicchargecarrier用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光 详情>>
所谓热载流子，是指比零电场下的载流子具有更高平均动能的载流子。零电场下，载流子通过吸收和发射声子与晶格交换能量，并与之处于热平衡状态，其温度与晶格温度相等。在有电场的作用存在时，载流子可以从电场直接获取能量，而晶格却不能。晶格只能借助载流子从电场直接获取能量，就从电场获取并积累能量又将能量传递给晶格的稳定之后，载流子的平均动能将高于晶格的平均动能，自然也高于其本身在零电场下的动能，成为热载流子。 详情>>
半导体中的载流子寿命就是非平衡载流子存在的平均有效时间，一般是指一种载流子（非平衡少数载流子）的寿命。但是，若在大注入情况下（例如大功率半导体器件的工作中），电子和空穴的浓度相当，其作用也都同等重要，因此载流子的扩散系数和寿命就都需要采用另外等效的相关物理量来表示，这就是所谓双极扩散系数和双极寿命。对于轻掺杂半导体，双极扩散系数是Da=(n+p)/[(n/Dp)+(p/Dn)]，双极寿命是τa=- 详情>>
thermalmotionofcarrier 载流子的热运动（1）基本概念：对于晶体中的载流子，在准经典描述中，可采用有效质量m*来表征它的运动惯性。载流子的热运动就是一种混乱的运动，即不断遭受散射、各个方向出现几率都差不多的非定向运动。而在浓度梯度驱动下的扩散运动，以及在电场作用下的漂移运动，都是在热运动基础之上的一种定向运动；这些载流子定向运动的速度都将小于其热运动速度。（2）载流子热运动 详情>>
载流子寿命（carrierlifetime）在热平衡条件下，电子不断地由价带激发到导带，产生电子空穴对，与此同时，它们又不停地因复合而消失。平衡时，电子与空穴的产生率等于复合率，从而使半导体中载流子的密度维持恒定。载流子间的复合使载流子逐渐消失，这种载流子平均存在的时间，就称之为载流子寿命。 详情>>
半导体物理基本释义形成条件半导体物理基本释义载流子注入（carrierejection）半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平衡载流子的方法称为载流子的光注入。除光照外，还可以利用电的或其他能量传递方式在半导体中注入载流子，最常用的是电的方法，称作载流子电注入。电注入载流子现象的发现直接导致半导体放大器的发明。形成条件在不同条件下，载流子注入的数量是不 详情>>
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。（1）基本概念：载流子就是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子，包括电子、离子等。半导体中的载流子有两种，即带负电的自由电 详情>>
（1）基本概念：本征载流子（Intrinsiccarrier）就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空穴的浓度始终相等。本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是 详情>>
多数载流子是半导体物理的概念。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 详情>>
处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。___________补充：Non-equilibriumcarrier（1）非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为抽出情况。（2）非平衡载流子的寿命：在 详情>>
（1）基本概念：非平衡载流子就是半导体中比热平衡时所多出的额外载流子。一般，往半导体内部注入的非平衡载流子是少数载流子（多数载流子较难以注入）。相反，从半导体内部抽出的载流子也是非平衡载流子，这也是少数载流子。当有外加光照等的作用使得半导体中增加（注入）了非平衡载流子后，该半导体系统即处于非平衡状态；这种状态是不稳定的，如果去掉这些产生非平衡载流子的作用后，那么该系统就应当逐渐回复到原来的（热）平 详情>>
热载流子效应(HotcarrierEffect,HCE)（1）基本概念：热载流子就是具有高能量的载流子，即其动能高于平均热运动能量（～kT）的载流子；因此其运动速度也一定很高。当载流子从外界获得了很大能量时，即可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，即可获得很大的动能，从而可成为热载流子。对于半导体器件，当器件的特征尺寸很小时，即使在不很高的电压下，也可产生很强的 详情>>
少数载流子寿命（Minoritycarrierslifetime）：（1）基本概念：载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的 详情>>
释词：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。学术解释学术定义参考资料-推算公式寿命学术解释"载流子"在学术 详情>>
载流子的散射：半导体的主要散射机构：①电离杂质的散射：施主杂质在电离后是一个带正电的离子，而受主杂质电离后则是负离子。在正离子有或负离子周围形成一个库仑势场，载流子将受到这个库仑场的作用，即散射。②晶格振动的散射：光学波和声学波散射。随着温度的增加，晶格振动的散射越来显著，而杂质电离的散射变得不显著了。③其他因素引起的散射：等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射。另外，载流子之间也有散 详情>>
载流子的电离率（Ionizationrate）是表征半导体中载流子在强电场下运动、并产生倍增效果的一个物理量。当半导体中有较高的电场时，其中运动的载流子将被加速而获得足够的动能，当载流子（电子或者空穴）与晶格碰撞时，即可能打破一个价键而产生出一个电子-空穴对（即产生本征激发，要求载流子的动能≥1.5Eg）；并且产生出的电子和空穴在强电场加速下又可打破一个价键而产生出新的电子-空穴对；如此继续下去， 详情>>
（1）基本概念：大量粒子（原子、分子、载流子等）的热运动是一种混乱的布朗运动，速度很大，但是动量（包括方向）不确定。而粒子在热运动基础之上的定向运动主要有两种：一是在浓度梯度驱动下的扩散运动，二是在外场作用下的漂移运动。这两种定向运动的速度都远小于热运动速度。特别，对于带有电荷的载流子，如果既有电场的作用，又有浓度梯度的作用，则载流子就可能既有漂移运动，又有扩散运动。载流子漂移运动的快慢采用迁移率 详情>>
载流子漂移速度（Driftvelocity）：载流子的漂移运动是指沿着外加电场的方向、叠加在热运动之上的一种附加运动，该附加运动的速度分量平均值就是漂移速度。一般，载流子的漂移速度总是小于其热运动速度，最大也只能接近于热运动速度（10e7cm/s）。因为在电场E的作用下，动量弛豫时间为τ的载流子的加速度为a=qE/m*，行走距离为S=aτ2/2=qEτ2/2m*，则平均漂移速度等于vd=S/τ=q 详情>>
迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材 详情>>
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在本征激发的条件下所产生的自由电子，将在电场的作用下定向形成电流，我们将这中自由电子称为电子载流子。 详情>>
半导体物理释义物理意义半导体物理释义非平衡载流子寿命（nonequilibriumcarrierlifetime）当半导体由于外界作用注入非平衡载流子时，它处于非平衡状态。物理意义载流子间的复合使非平衡载流子逐渐消失。在注入非平衡载流子浓度不是太大的简单情况下，非平衡载流子按下列规律消失：Δn=(Δn)0exp(-t/τ)。显然，式中τ即为非平衡载流子平衡平均存在的时间，通常称为非平衡载流子寿命。 详情>>
photogenicchargecarrier用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光 详情>>
所谓热载流子，是指比零电场下的载流子具有更高平均动能的载流子。零电场下，载流子通过吸收和发射声子与晶格交换能量，并与之处于热平衡状态，其温度与晶格温度相等。在有电场的作用存在时，载流子可以从电场直接获取能量，而晶格却不能。晶格只能借助载流子从电场直接获取能量，就从电场获取并积累能量又将能量传递给晶格的稳定之后，载流子的平均动能将高于晶格的平均动能，自然也高于其本身在零电场下的动能，成为热载流子。 详情>>
半导体中的载流子寿命就是非平衡载流子存在的平均有效时间，一般是指一种载流子（非平衡少数载流子）的寿命。但是，若在大注入情况下（例如大功率半导体器件的工作中），电子和空穴的浓度相当，其作用也都同等重要，因此载流子的扩散系数和寿命就都需要采用另外等效的相关物理量来表示，这就是所谓双极扩散系数和双极寿命。对于轻掺杂半导体，双极扩散系数是Da=(n+p)/[(n/Dp)+(p/Dn)]，双极寿命是τa=- 详情>>
thermalmotionofcarrier 载流子的热运动（1）基本概念：对于晶体中的载流子，在准经典描述中，可采用有效质量m*来表征它的运动惯性。载流子的热运动就是一种混乱的运动，即不断遭受散射、各个方向出现几率都差不多的非定向运动。而在浓度梯度驱动下的扩散运动，以及在电场作用下的漂移运动，都是在热运动基础之上的一种定向运动；这些载流子定向运动的速度都将小于其热运动速度。（2）载流子热运动 详情>>
载流子寿命（carrierlifetime）在热平衡条件下，电子不断地由价带激发到导带，产生电子空穴对，与此同时，它们又不停地因复合而消失。平衡时，电子与空穴的产生率等于复合率，从而使半导体中载流子的密度维持恒定。载流子间的复合使载流子逐渐消失，这种载流子平均存在的时间，就称之为载流子寿命。 详情>>
半导体物理基本释义形成条件半导体物理基本释义载流子注入（carrierejection）半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平衡载流子的方法称为载流子的光注入。除光照外，还可以利用电的或其他能量传递方式在半导体中注入载流子，最常用的是电的方法，称作载流子电注入。电注入载流子现象的发现直接导致半导体放大器的发明。形成条件在不同条件下，载流子注入的数量是不 详情>>
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。（1）基本概念：载流子就是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子，包括电子、离子等。半导体中的载流子有两种，即带负电的自由电 详情>>
（1）基本概念：本征载流子（Intrinsiccarrier）就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空穴的浓度始终相等。本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是 详情>>
多数载流子是半导体物理的概念。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 详情>>
处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。___________补充：Non-equilibriumcarrier（1）非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为抽出情况。（2）非平衡载流子的寿命：在 详情>>
（1）基本概念：非平衡载流子就是半导体中比热平衡时所多出的额外载流子。一般，往半导体内部注入的非平衡载流子是少数载流子（多数载流子较难以注入）。相反，从半导体内部抽出的载流子也是非平衡载流子，这也是少数载流子。当有外加光照等的作用使得半导体中增加（注入）了非平衡载流子后，该半导体系统即处于非平衡状态；这种状态是不稳定的，如果去掉这些产生非平衡载流子的作用后，那么该系统就应当逐渐回复到原来的（热）平 详情>>
热载流子效应(HotcarrierEffect,HCE)（1）基本概念：热载流子就是具有高能量的载流子，即其动能高于平均热运动能量（～kT）的载流子；因此其运动速度也一定很高。当载流子从外界获得了很大能量时，即可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，即可获得很大的动能，从而可成为热载流子。对于半导体器件，当器件的特征尺寸很小时，即使在不很高的电压下，也可产生很强的 详情>>
少数载流子寿命（Minoritycarrierslifetime）：（1）基本概念：载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的 详情>>
释词：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。学术解释学术定义参考资料-推算公式寿命学术解释"载流子"在学术 详情>>
载流子的散射：半导体的主要散射机构：①电离杂质的散射：施主杂质在电离后是一个带正电的离子，而受主杂质电离后则是负离子。在正离子有或负离子周围形成一个库仑势场，载流子将受到这个库仑场的作用，即散射。②晶格振动的散射：光学波和声学波散射。随着温度的增加，晶格振动的散射越来显著，而杂质电离的散射变得不显著了。③其他因素引起的散射：等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射。另外，载流子之间也有散 详情>>
载流子的电离率（Ionizationrate）是表征半导体中载流子在强电场下运动、并产生倍增效果的一个物理量。当半导体中有较高的电场时，其中运动的载流子将被加速而获得足够的动能，当载流子（电子或者空穴）与晶格碰撞时，即可能打破一个价键而产生出一个电子-空穴对（即产生本征激发，要求载流子的动能≥1.5Eg）；并且产生出的电子和空穴在强电场加速下又可打破一个价键而产生出新的电子-空穴对；如此继续下去， 详情>>
（1）基本概念：大量粒子（原子、分子、载流子等）的热运动是一种混乱的布朗运动，速度很大，但是动量（包括方向）不确定。而粒子在热运动基础之上的定向运动主要有两种：一是在浓度梯度驱动下的扩散运动，二是在外场作用下的漂移运动。这两种定向运动的速度都远小于热运动速度。特别，对于带有电荷的载流子，如果既有电场的作用，又有浓度梯度的作用，则载流子就可能既有漂移运动，又有扩散运动。载流子漂移运动的快慢采用迁移率 详情>>
载流子漂移速度（Driftvelocity）：载流子的漂移运动是指沿着外加电场的方向、叠加在热运动之上的一种附加运动，该附加运动的速度分量平均值就是漂移速度。一般，载流子的漂移速度总是小于其热运动速度，最大也只能接近于热运动速度（10e7cm/s）。因为在电场E的作用下，动量弛豫时间为τ的载流子的加速度为a=qE/m*，行走距离为S=aτ2/2=qEτ2/2m*，则平均漂移速度等于vd=S/τ=q 详情>>
迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。迁移率主要影响到晶体管的两个性能：一是载流子浓度一起决定半导体材 详情>>