“IRGP”查询结果
基本信息类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路电压-集电极发射极击穿（最大）：1200VVge,Ic时的最大Vce（开）：3.7V@15V,24A电流-集电极(Ic)（最大）：45A功率-最大：200W输入类型：标准型安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3（直引线）,TO-247AC包装：散装供应商设备封装：TO-247AC其它名称：IRG4PH50UDPBF 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：描述：IGBTN-CH600V75ATO-247AD封装：TO-247种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：600（V）（V）夹断电压：2（V）（V）低频跨导：220（μS）极间电容：2480（pF）低频噪声系数：0（dB）（dB）最大漏极电流：33（mA）（m 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：描述：IGBTN-CH600V75ATO-247AD封装：TO-247种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：600（V）（V）夹断电压：2（V）（V）低频跨导：220（μS）极间电容：2480（pF）低频噪声系数：0（dB）（dB）最大漏极电流：33（mA）（m 详情>>