“极型”查询结果
双极型AMI编码信号交替发转编码（AlternateMarkInversion，AMI）是一种典型的双极性码。在AMI信号中，数据流中遇到"1"时，使电平在正和负之间交替翻转，而遇到"0"时，则保持零电平。这种双极性码是三进制信号编码方法，它与二进制相比抗噪声特性更好。AMI有其内在的检错能力，当正负脉冲交替出现的规律被打乱时容易识别出来，这种情况叫做AMI违例。 详情>>
双极型功率晶体管结构工作原理进展和应用双极型功率晶体管双极型功率晶体管（bipolarpowertransistor）最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。 详情>>
双极型随机存储器指的是用双极型晶体管构成的随机存储器。它在半导体存储器中是最先研制成功的,用作计算机的缓冲存储器,使运算速度显著提高。双极型随机存储器的速度比磁芯存储器速度约快3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。双极型随机存储器的制造工艺比NMOS（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）复杂，密度不及MOS金属-氧化物-半导体动态随机存储器。在半导体存储器中,双极型随机存储器 详情>>
在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称为双极型集成电路。简介发展简况特点和原理工艺制备版图设计简介双极型集成电路bipolarintegratedcircuit以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅 详情>>
由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。介绍分类特点影响光电流介绍双极型晶体管（BipolarT 详情>>
双极型静电感应晶体管（Bipolarstaticinductiontransistor，BSIT）是一种静电感应器件，实际上只是把SIT（静电感应晶体管）的原始沟道做得更窄、使得在栅电压为0时即已形成了电子势垒；因此，只有在加上正栅偏压时、使势垒降低才能产生导电的沟道，这种工作状态类似于双极型晶体管（BJT），而且具有饱和输出伏安特性（因为沟道太窄，漏极电压不能影响源极电位），故有“双极型SIT” 详情>>
本书从放大器的基本结构入手，介绍了双极型和CMOS放大器的特性及分析方法。内容包括：放大器基础、晶体管、偏置、单级放大器、多级放大器、电流源和电路镜、放大器的低频和高频特性分析。本书采用论述理论与工程实际相结合的分析方法，并注重双极型与CMOS电路的对比。本书可作为高等院校信息与通信工程、电子科学与技术及相关专业师生的参考用书，也可以供相关专业技术人员阅读使用。首先向网友强调，这是一本书。。。双极 详情>>
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE。简介制作方法基本特征主要优点变异质结简介异质结双极型晶体管（Heterojunctionbipolartransistor,H 详情>>
双极型功率晶体管结构工作原理进展和应用双极型功率晶体管双极型功率晶体管（bipolarpowertransistor）最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。 详情>>
双极型随机存储器指的是用双极型晶体管构成的随机存储器。它在半导体存储器中是最先研制成功的,用作计算机的缓冲存储器,使运算速度显著提高。双极型随机存储器的速度比磁芯存储器速度约快3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。双极型随机存储器的制造工艺比NMOS（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）复杂，密度不及MOS金属-氧化物-半导体动态随机存储器。在半导体存储器中,双极型随机存储器 详情>>
在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称为双极型集成电路。简介发展简况特点和原理工艺制备版图设计简介双极型集成电路bipolarintegratedcircuit以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅 详情>>
由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。介绍分类特点影响光电流介绍双极型晶体管（BipolarT 详情>>
双极型静电感应晶体管（Bipolarstaticinductiontransistor，BSIT）是一种静电感应器件，实际上只是把SIT（静电感应晶体管）的原始沟道做得更窄、使得在栅电压为0时即已形成了电子势垒；因此，只有在加上正栅偏压时、使势垒降低才能产生导电的沟道，这种工作状态类似于双极型晶体管（BJT），而且具有饱和输出伏安特性（因为沟道太窄，漏极电压不能影响源极电位），故有“双极型SIT” 详情>>
本书从放大器的基本结构入手，介绍了双极型和CMOS放大器的特性及分析方法。内容包括：放大器基础、晶体管、偏置、单级放大器、多级放大器、电流源和电路镜、放大器的低频和高频特性分析。本书采用论述理论与工程实际相结合的分析方法，并注重双极型与CMOS电路的对比。本书可作为高等院校信息与通信工程、电子科学与技术及相关专业师生的参考用书，也可以供相关专业技术人员阅读使用。首先向网友强调，这是一本书。。。双极 详情>>
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE。简介制作方法基本特征主要优点变异质结简介异质结双极型晶体管（Heterojunctionbipolartransistor,H 详情>>