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8163流体管是流体输送用无缝钢管（GB/T8163-2008），是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。8163流体管8163流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行 详情>>
8163输送流体管是流体输送用无缝钢管（GB/T8163-2008），是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。8163输送流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以 详情>>
GB8163-1999流体管是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。GB8163-1999流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。无缝管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。无缝管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。 详情>>
GB/T8163-2008流体管代替GB/T8163-1999流体管本标准与10216-1：2004《用于压力的无缝钢管交货技术条件第一部分：规定室温性能的非合金钢管》的一致性程度为非等效。本标准代替GB/T8163-1999《输送流体用无缝钢管》。本标准与GB/T8163-1999相比，主要变化如下：——增加了订货内容；——修改了尺寸允许偏差；——增加了全长弯曲度要求；——增加了端头切斜要求；— 详情>>
中国国家标准化信息介绍项目编号PlanNameinChinese20111168-T-609中文项目名称PlanNameinChinese薄膜晶体管液晶显示器用基板玻璃英文项目名称PlanNameinEnglishThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay(TFT-LCD)SubstrateGlass制\\修订PlanNameinEnglish制定被修订标准号R 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:表面贴装晶体管选用手册作 者：刘仁普出版社：机械工业出版社出版时间：2008年07月ISBN:9787111245889开本：16开定价:118.00元内容简介电子产品的小型化对晶体管小型化的要求越来越高，各种封装形式的半导体器件应运而生，其种类繁多，令人眼花缭乱。表面贴装器件又称SMD(SurfaceMountedDevice)，它是一种直接贴焊于印制板(P 详情>>
VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET），垂直双扩散MOS晶体管：与横向扩散MOSFET（LDMOSFET）一样，这也是功率MOSFET的一种基本结构（见左图示）。其优点是：比LDMOSFET占用的面积小,相应频率特性也得以改善；沟道长度L与光刻精度无关,则可使L减短；n漂移区使S-D不容易穿通,则耐压提高；可多个单元并联,使电流容量增大；采用六角形分布的图形 详情>>
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大口径流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。用钢管制造环形零件，可提高材料利用率，简化制造工序，节约材料和加工工时，如滚动轴承套圈、千 详情>>
单极型晶体管，也称为场效应管.是电压控制型元件,输入阻抗高,热稳定性好,抗辐射能力较强,集成度较高.它是一种只有多子参与导电,少子不参与导电的晶体管,所以称为单极型晶体管.分为绝缘栅场效应管(MOS管)和结型场效应管(J-FET管).其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种. 详情>>
单极型晶体管也称为场效应管.是电压控制型元件,输入阻抗高,热稳定性好,抗辐射能力较强,集成度较高.它是一种只有多子参与导电,少子不参与导电的晶体管,所以称为单极型晶体管.分为绝缘栅场效应管(MOS管)和结型场效应管(J-FET管).其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种. 详情>>
多栅晶体管技术是一种新型电路结构技术。传统晶体管是每个晶体管只有一个栅用来控制电流在两个结构单元之间通过或中断，进而形成计算中所需的“0”与“1”。而多栅晶体管技术是每个晶体管有两个或三个栅，从而提高了晶体管控制电流的能力（即计算能力），并降低了功耗，减少了电流间的相互干扰。目前，英特尔、AMD（超微半导体）和IBM公司已分别在实验室成功开发出多栅晶体管。2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝 详情>>
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:功率晶体管原理作 者：万积庆出版社：湖南大学出版社出版时间：2009年03月开本：16开定价:43.00元内容简介《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《 详情>>
晶体管饱和区在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区.在此区域内,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V. 详情>>
基本信息内容简介目录基本信息作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269字 数：印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的 详情>>
图书信息内容简介目录图书信息定 价：￥29.00作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理 详情>>
晶体管电路设计作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269字 数：印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应 详情>>
图书信息内容简介目录图书信息定 价：￥32.00作 者：（日）铃木雅臣著，彭军译出版社：科学出版社出版时间：2005-2-1版 次：1页 数：305字 数：362000印刷时间：2005-2-1纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030132789包 装：平装内容简介本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括 详情>>
基本信息内容简介目录基本信息作 者：(日)铃木雅臣著，彭军译出版社：科学出版社出版时间：2005-2-1版 次：1页 数：305字 数：362000印刷时间：2005-2-1开 本：纸 张：胶版纸印 次：ISBN：9787030132789包 装：平装内容简介本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路 详情>>
晶体管放大区在晶体三极管中，放大区也称为线性区。即当VCE大于一定的数值时，IC的值只与IB有关。晶体管放大区是晶体管三大区域之一，另两个分别是饱和区和截止区。在放大区内，发射结正偏，集电结反偏。IC=βIB,且△IC=β△IB。 详情>>
BJT的最大功率增益Gpm与工作频率平方f2的乘积（即Gpm×f2）就称为晶体管的高频优值，也称为功率增益-带宽乘积。实际上高频优值也就是最高振荡频率的平方（即fm2），它与特征频率fT和电阻、电容等器件参量有关：Gpm×f2=fm2=fT/[8π(rb+πfTLe)Cc].高频优值是一个全面反映BJT的频率和功率性能的参数（优值越高越好），而且是一个与频率无关的常数，它只决定于晶体管的内部参数， 详情>>
双极型晶体管（BJT）的集电极最大容许电流（Collectormaximumallowablecurrent）是表征晶体管大电流特性的好坏的一个重要参数，也是限制晶体管安全工作范围（安全工作区）的一个重要参数，要求越大越好。BJT在较大的工作电流时，由于Webster效应(对合金管)或Kirk效应(对平面管)，将造成电流放大系数βo下降。所以晶体管的集电极电流存在有一个限度——集电极最大允许工作电 详情>>
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晶体管截止区在晶体三极管中,VBE<死区电压的区域称为晶体管截止区.在此区域内,IB=0,IC=ICEO≈0.截止区和放大区,饱和区为晶体三极管输出三大特性区域. 详情>>
晶体管的工作状态(工作模式)有放大状态、饱和状态、截止状态和反向放大状态四种.截止状态就是电流很小、基本上不导通的一种工作状态(工作模式).这种状态,不管是BJT(双极型晶体管),还是FET(场效应晶体管),都是一致的，都是代表关断的状态;在输出伏安特性曲线上,其范围都是处于最下面的小区域(紧靠横轴——电压轴).(1)对于BJT:BJT的截止状态就是发射结和集电极都是反偏的状态,输出电流当然很小; 详情>>
由多发射极晶体管作为“与门”，与倒相器兼跟随器串接，并最终推挽输出的逻辑集成电路。可构成各种逻辑关系。 详情>>
晶体管特性图示仪是一种专用示波器，它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等~~~ 详情>>
图书信息内容简介作者简介图书目录图书信息书名:晶体管原理与设计作 者：陈星弼出版社：电子工业出版社出版时间：2007年12月ISBN:9787121022685开本：16开定价:42.00元内容简介《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。作者 详情>>
晶体管最高振荡频率（Maximumoscillatingfrequency）是晶体管的一个重要频率特性参数。它给出了晶体管作为振荡使用的最高频率；超过此频率，晶体管就再也不能用作为有源器件了。（1）对于双极型晶体管，随着频率f的提高,功率增益Gp将要下降；最高振荡频率fm就是Gp下降到1(即输出功率=输入功率)时的工作频率，它代表了晶体管具有放大能力的极限。根据高频等效电路可以求出：fm=[fT/ 详情>>
量子线场效应晶体管，QuantumlineFET（QL-FET）：这是采用导电的量子线作为导电沟道的一种场效应晶体管。其特点是：1)量子线中一维电子气的迁移率将随着电子浓度的增加而大大提高，从而使得QL-FET具有具有优良的高速工作性能。2)在低温(kT<子能带间隔)下，若沟道(量子线)很短（呈现弹道输运），而且源-漏电压Vds又很低，则沟道中的电子都将处在最低的一个子能带上，并将呈现出弹道 详情>>
流体管GB/T8163-2008标准：GB/T8163—2008 中国国家标准用途：用于输送流体用的一般无缝钢管主要生产钢管牌号：10#、20#、Q345等尺寸公差:钢管种类 外径（D） 钢管壁厚（S）冷拔管 钢管外径(mm) 允许偏差(mm) 钢管壁厚(mm) 允许偏差(mm)＞30～50 ±0.3 ≤30 ±10％＞50～219 ±0.8％热轧管 ＞219 ±1.0％ ＞20 ±10％力学性能 详情>>
流体管GB/T8163-2008代替流体管GB/T8163-1999本标准与10216-1：2004《用于压力的无缝钢管交货技术条件第一部分：规定室温性能的非合金钢管》的一致性程度为非等效。本标准代替GB/T8163-1999《输送流体用无缝钢管》。本标准与GB/T8163-1999相比，主要变化如下：——增加了订货内容；——修改了尺寸允许偏差；——增加了全长弯曲度要求；——增加了端头切斜要求；— 详情>>
1面结型晶体管N类/P类电晶体1.电晶体的偏压：B-E极：基极-射极必须正向偏压；C-B极：集极-基极必须反向偏压(1)IE=IB+IC；射极电流=基极电流+集极电流(2)β共射极电流放大率=δIC/δIB(δIC集极电流变化；δIB基极电流变化)(3)输入电流IB=BBBERV−V(4)输出电流Ic=βIB(5)输出电压Vce=Vcc–IcRL(负载线)例一:某电晶体有0.04mA基 详情>>
纳米场效应晶体管(Nano-FET):纳米场效应晶体管是指沟道长度为nm数量级的FET。实际上，也就是沟道的长度短到与沟道的厚度可相比拟时的场效应晶体管。纳米场效应晶体管的特点就是不仅需要考虑载流子在垂直沟道方向的横向量子化，而且也需要考虑沿着沟道方向的纵向量子化，即是一个量子化的三维问题。则对于纳米场效应晶体管的性能分析，需要采用载流子波——量子波的概念来处理。通过计算沟道方向上量子波的分布和量 详情>>
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一、热电子晶体管原理二、几种典型的热电子晶体管一、热电子晶体管原理像常规的双极晶体管是依靠电子和空穴来工作的一样，热电子晶体管是依靠冷电子(与晶格热平衡的电子)和热电子来工作的。冷电子提供器件中不同层的电导，热电子携带输入信息，并使之在器件中放大。这种器件的典型结构很类似于双极晶体管，也具有发射区(E)、基区(B)和集电区(C)，两者的根本差别在于，在热电子晶体管的基区两侧各有一个势垒与发射区和集 详情>>
热轧流体管自定义热轧流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝的钢管。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。 流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝的钢管。用钢管制造环形零 详情>>
英特尔公司４日宣布，已开发出可投入大规模生产的三维结构晶体管，采用新型晶体管的芯片在能耗降低的同时，其性能有望得到大幅提升。英特尔当天还展示了代号为“常春藤桥”的２２纳米微处理器，并计划今年年底前完成批量生产该微处理器的准备工作。英特尔说，它将是首款采用新型三维晶体管的量产芯片。与目前在电脑等产品中得到广泛应用的二维晶体管相比，三维晶体管在技术上有突破之处。英特尔介绍说，其研究人员在２００２年发明 详情>>
从细菌到人类的细胞当中，都包含了某些蛋白质，从事类似于晶体管(Transistor)的工作。在一般晶体管中，电子在半导体当中的流动是受到电位差所控制；而在细胞当中，某些跨越细胞膜表面的蛋白质也是以电位差控制钠、钾、钙等离子进出细胞。这些由蛋白质所构成的离子信道，其功能单位一般由四个蛋白质次单元所组成，每一个蛋白质次单元又由六次往复缠绕的多月生月太(Polypeptide)所构成。这种六次往复缠绕的 详情>>
所谓数字晶体管（DigitalTransistor），英文名也称为BiasResistorTransistor，实际就是带电阻的晶体管,有的仅在基极上串联一只电阻,一般称为R1,有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2。电阻R1有多种电阻,类似标准电阻系列配制,电阻R2情况类似R1,,电阻R1与电阻R2可按多种方式搭配,因此数字晶体管的品种很多。 详情>>
双极型功率晶体管结构工作原理进展和应用双极型功率晶体管双极型功率晶体管（bipolarpowertransistor）最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。 详情>>
概述原理作用展望概述瑞士科学家表示，到2017年，利用量子隧道效应研制出的隧道场效应晶体管有望将计算机和手机的能耗减少到目前的百分之一。瑞士洛桑理工大学的科学家阿德里安·约内斯库在为英国《自然》杂志撰写的一篇文章中提出了上述看法，该文章是《自然》杂志有关硅的特别报道的一部分。约内斯库指出，目前，瑞士洛桑理工大学、IBM位于瑞士的实验室以及法国原子能委员会下属的电子信息技术研究所等机构的科学家都在进 详情>>
第一个碳纳米晶体管（CarbonNanotubeTransistor）阵列，是由IBM的研究人员制造出来的，利用这一突破性的晶体管技术，制造的芯片将比现在的硅芯片更小更快。碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他们逐个处理，即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明，碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低，而且碳纳 详情>>
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小口径流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。用钢管制造环形零件，可提高材料利用率，简化制造工序，节约材料和加工工时，如滚动轴承套圈、千 详情>>
采用小外形封装结构的表面组装晶体管。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:新型双极晶体管数据手册作 者：张庆双出版社：科学出版社出版时间：2010年11月1日ISBN:9787030289872开本：16开定价:34.00元内容简介《新型双极晶体管数据手册》是“速查速用半导体数据手册”丛书之一，《新型双极晶体管数据手册》汇编了新型、常用双极晶体管（包括通用晶体管、高电流晶体管、高电压晶体管、开关晶体管、低噪声晶体管、高频晶体管、数字 详情>>
半导体物理释义物理意义半导体物理释义异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。物理意义双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可 详情>>
增强型场效应晶体管（EnhancementtypeFET）：这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。而结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。增强的结型场效应晶体管（E-JFET） 详情>>
图书信息作者简介内容简介目录图书信息出版社:外语教学与研究出版社;第1版(2005年6月1日)丛书名:国家地理科学探索丛书平装:39页开本:16开ISBN:7560048579条形码:9787560048574尺寸:22.8x17.8x0.2cm重量:100g作者简介作者：（美国）费伦作者：（美国）费伦内容简介如果你希望在享受英语阅读乐趣的同时又能增长知识、开拓视野，由外语教学与研究出版社与美国国 详情>>
概述简介研究背景应用概述钻石晶体管由日本研究人员研制成功，钻石通常电阻非常大，限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题，首次制成了双极型晶体管，为研制节能半导体元件开辟了新道路。简介钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率，但钻石通常电阻非常大，限制了其应用。2011年9月，日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题，首次制成了双极型晶体管，为研制节能半导体元件开辟了新 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:最新通用场效应晶体管置换手册作 者：《最新通用场效应晶体管置换手册》编写组出版社：机械工业出版社出版时间：2007年05月ISBN:9787111210993开本：16开定价:68.00元内容简介本书全面汇编了国内外电气与电子设备中所使用的场效应晶体管及其模块的实用关键参数和代换型号，内容涉及到2006年以前国内外场效应晶体管生产厂家生产的大部分最新场效应晶体 详情>>
3D三维晶体管-简介3D三维晶体管-特点3D三维晶体管-优势3D三维晶体管-发展历程3D三维晶体管-简介世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功，这项技术被称为“年度最重要技术”，3-DTri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。Intel于20 详情>>
概念系列概念金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（ComplementaryMOSIntegratedCircuit）。目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点 详情>>
GB8163流体管是流体输送用无缝钢管（GB/T8163-1999），是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。GB8163流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以 详情>>
一、概述IGBT中频电源装置是采用国际先进新型器件，IGBT（绝缘栅双极性晶体管）串联谐振式感应加热电源装置。主要用于各种金属材料及其合金的熔炼、透热和淬火领域。IGBT中频电源装置是老式可控硅中频电源的更新换代产品。潍坊科华电炉制造有限公司生产的IGBT中频熔炼炉具有输出功率大、节能省电、效率高、熔炼速度快、工作稳定可靠、故障率低等优点，而且工艺精良，使用维修极为方便，受到广大用户的欢迎。IGB 详情>>
图书信息内容提要目录图书信息书名:薄膜晶体管阵列制造技术作 者：谷至华出版社：复旦大学出版社出版时间：2007年09月ISBN:9787309056556开本：16开定价:45.00元内容提要高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thinfilmtransistor,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphoussilicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。全书 详情>>
在显示技术领域，以液晶显示（LCD）为代表的平板显示（FPD）已经取代传统的、体积笨重的CRT显示并占据主流地位，涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域。薄膜晶体管（TFT）已经成为电子平板显示行业的核心部件。本书阐述了基于氢化非晶硅和多晶硅的薄膜晶体管的发展、图案化及器件性能，同时强调了基于有机、有机-无机杂化半导体材料的新的、替代性及潜在突破性的技术。本书对我国读者了解国外TFT发展的 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:薄膜晶体管及其在平板显示中的应用作 者：(美国)CherieRKaganpaulAndry出版社：电子工业出版社出版时间：2008年03月ISBN:9787121060045开本：16开定价:68.00元内容简介《薄膜晶体管(TFT)及其在平板显示中的应用》阐述了基于氢化非晶硅和多晶硅的薄膜晶体管的发展、性质、制造工艺、图案化及器件性能，同时强调了基于有机、有 详情>>
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。简介(概述原理)架构及分类(架构种类)显示器工业(工业介绍发展历程发展前景)主要制程(简述详述)简介概述简单说，TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Colo 详情>>
参见：场效应管 详情>>
场效应晶体管射频微波建模技术，作者：高建军，出版日期：2007-01,内容提要：本书是作者多年来在微波和光通信技术领域工作、学习、研究和教学过程中获得知识和经验的总结。本书主要研究内容包括微波信号网络矩阵技术和噪声网络矩阵技术，和依此为基础的场效应晶体管射频微波建模和测试技术。其中，微波射频场效应晶体管小信号等效电路模型，大信号非线性等效电路模型和噪声模型，以及模型参数的提取技术是本书的重点。内容 详情>>
超导场效应晶体管，SuperconductorFET（SFET）：这是一种利用超导沟道导电的绝缘栅场效应晶体管。它的源极和漏极的电极接触金属是超导体In（见图示）。由于超导体的相干长度——超导电子对之间的关联长度（关联效应的空间长度）大约为1nm~100nm（在这个长度内，可有很多个超导电子对），故与超导体In接触的常导体或者半导体薄膜也将成为超导态。从而对于较短的器件沟道，也可变为超导态，所以这 详情>>
超导热电子晶体管，即超导基区热电子晶体管（Superconductorbasehot-electrontransistor，SUBHT）：这是一种超导体/半导体兼容的器件。其原理性的基本结构见图示。这种晶体管的基区是超导体，因此其基极电阻很小，从而具有很好的高频、高速和低噪声性能。但是它所能承受的集电极电压很低，为了改进这一点，就在超导体基区与集电区之间加设一个半导体层，这就发展出了所谓超导基区半 详情>>
基本概念放大倍数接法用途基本概念达林顿管(DarlingtonTransistor)又称复合管。它采用复合连接方式,将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管,极性只认前面的三极管。放大倍数这等效三极管的放大倍数是是两个三极管放大倍数的乘积。接法达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN.前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。将前一级T1的 详情>>
一、概念二、分类三、性能比较四、应用一、概念大功率晶体管一般被称为功率器件，属于电力电子技术（功率电子技术）领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。二、分类功率器件从整体上可以分为不可控器件、半可控 详情>>
第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成1。典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。趋势原理现状趋势用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子 详情>>
电力MOS场效应管通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistor——SIT）。是一种单极型的电压控制全控型器件。特点——用栅极电压来控制漏极电流输入阻抗高驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性 详情>>
电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET），P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。 详情>>
参见：电力场效应晶体管 详情>>
电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。电力晶体管简介电力晶体管的结构电力晶体管工作原理电力晶体管特点电力晶体管的基本特性电力晶体 详情>>
参见：电力晶体管 详情>>
基本信息介绍基本信息多晶硅发射极晶体管，Polysiliconemittertransistor（PET）：多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。介绍多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重 详情>>
简介详细介绍简介输入端用二极管实现“与”逻辑，输出端用晶体管实现“非”逻辑,采用二极管电平位移的单元门电路,简称DTL电路。其基本电路如图1。在图1a中的二极管D1、D2和D3完成“与”逻辑,二极管D4和D5提供补偿电压,晶体管T完成“非”逻辑,并提供增益。二极管D1、D2和D3的数目和“与”门输入端A、B、C的数目相同,增加二极管可扩展输入端数。详细介绍图2是DTL电路的输入和输出电压传输特性。 详情>>
复合晶体管，指在IC中，常常把几个晶体管连接起来而构成具有一定功能的晶体管；在分析时一般是把它们当作一个整体来处理。常用的复合晶体管有达林顿（Darlington）晶体管、CC-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。达林顿（Darlington）晶体管CC-CE复合管复合p-n-p晶体管达林顿（Darlington）晶体管达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管（见图1）；其中第 详情>>
优点特性详解优点功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面：1.具有较高的开关速度。2.具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因些适合进行并联使用。3.具有较高的可靠性。4.具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。5.具 详情>>
简介常见的功率晶体管基极驱动电路简介使功率晶体管按信号要求导通或截止的基极控制电路。用于控制电力电子电路中的功率晶体管的通断。在电力电子电路中，功率晶体管均作开关元件使用，因所控制的功率较大，基极控制电路与一般晶体管基极控制电路有所不同。对功率晶体管基极驱动电路的一般要求是：当信号要求功率晶体管导通时，提供足够大的基极驱动电流使其饱和导通；当信号要求功率晶体管截止时，切断基极电流或提供负的基极电流 详情>>
由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。简介主要作用最小的光晶体管(原理前景)简介光晶体管phototransistor由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电 详情>>
基本信息内容提要目录基本信息作者：胡守仁ISBN：10位[7810992716]13位[9787810992718]出版社：国防科技大学出版社出版日期：2006-11定价：￥32.00元内容提要本书是继《计算机技术发展史(一)》之后，叙述20世纪60年代至80年代计算机技术的发展历史，重点论述晶体管计算机、中小规模集成电路计算机、微处理器与个人计算机以及计算机网络的诞生与发展，其中包括这一时期中国 详情>>
结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）：（1）基本概念：JFET是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道的JFET 详情>>
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。定义简述历史历史及重要里程碑优越性(构件没有消耗消耗电 详情>>
晶体管-晶体管逻辑电路（transistor-transistorlogic）。集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。简介早期发展(第一代第二代第三代)简介集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路，简称TTL电路。它是从二极管-晶体管逻辑电路(DTL)发展而来的。将DTL电路输入 详情>>
晶体管安全工作区，SafeOperatingArea（SOA）：对于双极型晶体管，能够安全、可靠地进行工作的电流和电压范围，即称为晶体管的安全工作区（如图示中的虚线区域）；超过此范围的电流和电压工作时晶体管即有可能发生损坏。安全工作区由最大允许集电极电流Icm、击穿电压BVceo、晶体管最大耗散功率Pcm和二次击穿等效应来决定。 详情>>
晶体管的工作状态（或工作模式）有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种。饱和状态就是晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.对于BJT（双极型晶体管）和对于FET（场效应晶体管）,饱和状态的含义大不相同，要特别注意区分开来。对于BJT对于FET（包括JFET和MOSFET等）对于BJT因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.B 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:晶体管电路作 者：(日本)饭高成男(日本)田口英雄出版社：科学出版社出版时间：2009年01月ISBN:9787030234087开本：16开定价:28.00元内容简介《晶体管电路》是“电工电子技术丛书”之一。《晶体管电路》共分11章，主要以讲解晶体三极管的工作原理为中心，介绍半导体的性质、晶体管的作用、晶体三极管放大电路基础、各种放大电路、功率放大电路、高频 详情>>
本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率M 详情>>
晶体管的工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就是输出电流与输入电流或者与输入电压成正比的一种工作状态。在输出伏安特性曲线上，放大状态所处的范围对于BJT和FET有所不同。(1)对于BJT：BJT的放大状态就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。因为BJT是电流控制的器件，故放大状态的输出电流与输入电流成正比。放大性能用电流放大系数表示（共基极组态是α和 详情>>
1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（TRADIC），装有800个晶体管。概况简介发展状况晶体管计算机的发展有关晶体管(晶体管半导体三极管分类晶体管的影响)英文简述研制过程概况简介晶体管计算机是第二代电子计算机。在20世纪50年代之前第一代，计算机都采用电子管作元件。电子管元件在运行时产生的热量太多，可靠性较差，运算速度不快，价格昂贵，体积庞大，这些都使计 详情>>
简介特性简介这个是电路控制中的说法。在很多自动化设备中，电路最终都需要对一些执行部件（如电机、电磁铁）实施控制，电路对这些执行部件的控制可通过继电器、双向晶闸管、晶体管等开关器件进行，因此对于电路的输出端来说就有了与之对应的“继电器输出、双向晶闸管输出、晶体管输出”等类型。特性晶体三极管输出特性曲线（共发射极）晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生 详情>>
晶体管特性图示仪一般使用简介(1.“电压(v)/度”旋钮开关2.“电流/度”旋钮开关4.“功耗限制电阻”旋钮5.“基极阶梯信号”旋钮6.“零电压”、“零电流”开关)一般参数简介晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。一般使用简介1.“电压(v)/度”旋钮开关此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶 详情>>
简介晶体管分类(热噪声散粒噪声配分噪声1/f噪声)噪声系数场效应晶体管噪声简介BuBjingtiguanzaosheng晶体管噪声transistornoise在晶体管内，载流子的不规则运动引起不规则变化的电流起伏，因而产生不规则变化的电压起伏，这种不规则变化的电流和电压形成晶体管的噪声。晶体管噪声是晶体管的重要参数。晶体管分类晶体管按工作原理可分为两大类，一类是双极型晶体管；另一类是单极型晶体管 详情>>
最大耗散功率（Maximumdissipationpower）：（1）对于双极型晶体管：BJT的总耗散功率为Pc=IeVbe+IcVcb+Icrcs≈IcVcb），并且Pc关系到输出的最大交流功率Po：Po=(供给晶体管的直流功率Pd)–(晶体管耗散的功率Pc)=[η/(1–η)]Pc∝Pc，即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比（η=Po/Pd是转换效率）。晶体管功率的耗散(消耗)即发热，如果此 详情>>
耗尽型JFET的沟道掺杂浓度越高，原始沟道越宽，则夹断电压就越高；温度升高时，由于本征载流子浓度的提高和栅结内建电势的减小，则夹断电压降低。晶体管阈值电压（Thresholdvoltage）：场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。（1）对于JFET：对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器 详情>>
静电感应晶体管简称SIT，实际上是一种结型场效应晶体管。它是在普通结型场效应晶体管基础上发展起来的单极型电压控制器件，有源、栅、漏三个电极,它的源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。静电感应晶体管是一种多子导电的器件，适用于高频大功率场合。简介详细说明(静电感应晶体管结构分析静电感应晶体管结构形式)优点发展历史简介静电感应晶体管SIT(StaticInductionTransistor)诞生于197 详情>>
绝缘栅双极晶体管（Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT）综合了电力晶体管（GiantTransistor—GTR）和电力场效应晶体管（PowerMOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。简介IGBT的结构与工作原理IGBT的工作特性(静态特性动态特性)IGBT的工作原理(导通导通压降关断反向阻断正向阻断闩锁) 详情>>
8163输送流体管是流体输送用无缝钢管（GB/T8163-2008），是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。8163输送流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以 详情>>
GB8163-1999流体管是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。GB8163-1999流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。无缝管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。无缝管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。 详情>>
GB/T8163-2008流体管代替GB/T8163-1999流体管本标准与10216-1：2004《用于压力的无缝钢管交货技术条件第一部分：规定室温性能的非合金钢管》的一致性程度为非等效。本标准代替GB/T8163-1999《输送流体用无缝钢管》。本标准与GB/T8163-1999相比，主要变化如下：——增加了订货内容；——修改了尺寸允许偏差；——增加了全长弯曲度要求；——增加了端头切斜要求；— 详情>>
中国国家标准化信息介绍项目编号PlanNameinChinese20111168-T-609中文项目名称PlanNameinChinese薄膜晶体管液晶显示器用基板玻璃英文项目名称PlanNameinEnglishThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay(TFT-LCD)SubstrateGlass制\\修订PlanNameinEnglish制定被修订标准号R 详情>>
薄膜 晶体管 晶体 体管 液晶显示 液晶 晶显 显示 器用 基板 玻璃
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:表面贴装晶体管选用手册作 者：刘仁普出版社：机械工业出版社出版时间：2008年07月ISBN:9787111245889开本：16开定价:118.00元内容简介电子产品的小型化对晶体管小型化的要求越来越高，各种封装形式的半导体器件应运而生，其种类繁多，令人眼花缭乱。表面贴装器件又称SMD(SurfaceMountedDevice)，它是一种直接贴焊于印制板(P 详情>>
VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET），垂直双扩散MOS晶体管：与横向扩散MOSFET（LDMOSFET）一样，这也是功率MOSFET的一种基本结构（见左图示）。其优点是：比LDMOSFET占用的面积小,相应频率特性也得以改善；沟道长度L与光刻精度无关,则可使L减短；n漂移区使S-D不容易穿通,则耐压提高；可多个单元并联,使电流容量增大；采用六角形分布的图形 详情>>
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大口径流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。用钢管制造环形零件，可提高材料利用率，简化制造工序，节约材料和加工工时，如滚动轴承套圈、千 详情>>
单极型晶体管，也称为场效应管.是电压控制型元件,输入阻抗高,热稳定性好,抗辐射能力较强,集成度较高.它是一种只有多子参与导电,少子不参与导电的晶体管,所以称为单极型晶体管.分为绝缘栅场效应管(MOS管)和结型场效应管(J-FET管).其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种. 详情>>
单极型晶体管也称为场效应管.是电压控制型元件,输入阻抗高,热稳定性好,抗辐射能力较强,集成度较高.它是一种只有多子参与导电,少子不参与导电的晶体管,所以称为单极型晶体管.分为绝缘栅场效应管(MOS管)和结型场效应管(J-FET管).其中,MOS管还分为增强型和耗尽型两种. 详情>>
多栅晶体管技术是一种新型电路结构技术。传统晶体管是每个晶体管只有一个栅用来控制电流在两个结构单元之间通过或中断，进而形成计算中所需的“0”与“1”。而多栅晶体管技术是每个晶体管有两个或三个栅，从而提高了晶体管控制电流的能力（即计算能力），并降低了功耗，减少了电流间的相互干扰。目前，英特尔、AMD（超微半导体）和IBM公司已分别在实验室成功开发出多栅晶体管。2003年9月，AMD公布了采用全耗尽型绝 详情>>
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:功率晶体管原理作 者：万积庆出版社：湖南大学出版社出版时间：2009年03月开本：16开定价:43.00元内容简介《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《 详情>>
晶体管饱和区在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区.在此区域内,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V. 详情>>
基本信息内容简介目录基本信息作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269字 数：印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的 详情>>
图书信息内容简介目录图书信息定 价：￥29.00作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理 详情>>
晶体管电路设计作 者：(日本)铃木雅臣 著，周南生译出版社：科学出版社出版时间：2004-9-1版 次：1页 数：269字 数：印刷时间：2004-9-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030133083包 装：平装内容简介《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应 详情>>
晶体管 晶体 体管 电路设计 电路 路设 设计 实用 电子 电路设计 电路 路设 设计 丛书
图书信息内容简介目录图书信息定 价：￥32.00作 者：（日）铃木雅臣著，彭军译出版社：科学出版社出版时间：2005-2-1版 次：1页 数：305字 数：362000印刷时间：2005-2-1纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787030132789包 装：平装内容简介本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括 详情>>
基本信息内容简介目录基本信息作 者：(日)铃木雅臣著，彭军译出版社：科学出版社出版时间：2005-2-1版 次：1页 数：305字 数：362000印刷时间：2005-2-1开 本：纸 张：胶版纸印 次：ISBN：9787030132789包 装：平装内容简介本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管/FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路 详情>>
晶体管 晶体 体管 电路设计 电路 路设 设计 实用 电子 电路设计 电路 路设 设计 丛书
晶体管放大区在晶体三极管中，放大区也称为线性区。即当VCE大于一定的数值时，IC的值只与IB有关。晶体管放大区是晶体管三大区域之一，另两个分别是饱和区和截止区。在放大区内，发射结正偏，集电结反偏。IC=βIB,且△IC=β△IB。 详情>>
BJT的最大功率增益Gpm与工作频率平方f2的乘积（即Gpm×f2）就称为晶体管的高频优值，也称为功率增益-带宽乘积。实际上高频优值也就是最高振荡频率的平方（即fm2），它与特征频率fT和电阻、电容等器件参量有关：Gpm×f2=fm2=fT/[8π(rb+πfTLe)Cc].高频优值是一个全面反映BJT的频率和功率性能的参数（优值越高越好），而且是一个与频率无关的常数，它只决定于晶体管的内部参数， 详情>>
双极型晶体管（BJT）的集电极最大容许电流（Collectormaximumallowablecurrent）是表征晶体管大电流特性的好坏的一个重要参数，也是限制晶体管安全工作范围（安全工作区）的一个重要参数，要求越大越好。BJT在较大的工作电流时，由于Webster效应(对合金管)或Kirk效应(对平面管)，将造成电流放大系数βo下降。所以晶体管的集电极电流存在有一个限度——集电极最大允许工作电 详情>>
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晶体管截止区在晶体三极管中,VBE<死区电压的区域称为晶体管截止区.在此区域内,IB=0,IC=ICEO≈0.截止区和放大区,饱和区为晶体三极管输出三大特性区域. 详情>>
晶体管的工作状态(工作模式)有放大状态、饱和状态、截止状态和反向放大状态四种.截止状态就是电流很小、基本上不导通的一种工作状态(工作模式).这种状态,不管是BJT(双极型晶体管),还是FET(场效应晶体管),都是一致的，都是代表关断的状态;在输出伏安特性曲线上,其范围都是处于最下面的小区域(紧靠横轴——电压轴).(1)对于BJT:BJT的截止状态就是发射结和集电极都是反偏的状态,输出电流当然很小; 详情>>
由多发射极晶体管作为“与门”，与倒相器兼跟随器串接，并最终推挽输出的逻辑集成电路。可构成各种逻辑关系。 详情>>
晶体管 晶体 体管 晶体管 晶体 体管 逻辑 集成电路 集成 成电 电路
晶体管特性图示仪是一种专用示波器，它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等~~~ 详情>>
图书信息内容简介作者简介图书目录图书信息书名:晶体管原理与设计作 者：陈星弼出版社：电子工业出版社出版时间：2007年12月ISBN:9787121022685开本：16开定价:42.00元内容简介《晶体管原理与设计》(第2版)全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结晶体管和绝缘栅场效应晶体管的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。作者 详情>>
晶体管最高振荡频率（Maximumoscillatingfrequency）是晶体管的一个重要频率特性参数。它给出了晶体管作为振荡使用的最高频率；超过此频率，晶体管就再也不能用作为有源器件了。（1）对于双极型晶体管，随着频率f的提高,功率增益Gp将要下降；最高振荡频率fm就是Gp下降到1(即输出功率=输入功率)时的工作频率，它代表了晶体管具有放大能力的极限。根据高频等效电路可以求出：fm=[fT/ 详情>>
量子线场效应晶体管，QuantumlineFET（QL-FET）：这是采用导电的量子线作为导电沟道的一种场效应晶体管。其特点是：1)量子线中一维电子气的迁移率将随着电子浓度的增加而大大提高，从而使得QL-FET具有具有优良的高速工作性能。2)在低温(kT<子能带间隔)下，若沟道(量子线)很短（呈现弹道输运），而且源-漏电压Vds又很低，则沟道中的电子都将处在最低的一个子能带上，并将呈现出弹道 详情>>
流体管GB/T8163-2008标准：GB/T8163—2008 中国国家标准用途：用于输送流体用的一般无缝钢管主要生产钢管牌号：10#、20#、Q345等尺寸公差:钢管种类 外径（D） 钢管壁厚（S）冷拔管 钢管外径(mm) 允许偏差(mm) 钢管壁厚(mm) 允许偏差(mm)＞30～50 ±0.3 ≤30 ±10％＞50～219 ±0.8％热轧管 ＞219 ±1.0％ ＞20 ±10％力学性能 详情>>
流体管GB/T8163-2008代替流体管GB/T8163-1999本标准与10216-1：2004《用于压力的无缝钢管交货技术条件第一部分：规定室温性能的非合金钢管》的一致性程度为非等效。本标准代替GB/T8163-1999《输送流体用无缝钢管》。本标准与GB/T8163-1999相比，主要变化如下：——增加了订货内容；——修改了尺寸允许偏差；——增加了全长弯曲度要求；——增加了端头切斜要求；— 详情>>
1面结型晶体管N类/P类电晶体1.电晶体的偏压：B-E极：基极-射极必须正向偏压；C-B极：集极-基极必须反向偏压(1)IE=IB+IC；射极电流=基极电流+集极电流(2)β共射极电流放大率=δIC/δIB(δIC集极电流变化；δIB基极电流变化)(3)输入电流IB=BBBERV−V(4)输出电流Ic=βIB(5)输出电压Vce=Vcc–IcRL(负载线)例一:某电晶体有0.04mA基 详情>>
纳米场效应晶体管(Nano-FET):纳米场效应晶体管是指沟道长度为nm数量级的FET。实际上，也就是沟道的长度短到与沟道的厚度可相比拟时的场效应晶体管。纳米场效应晶体管的特点就是不仅需要考虑载流子在垂直沟道方向的横向量子化，而且也需要考虑沿着沟道方向的纵向量子化，即是一个量子化的三维问题。则对于纳米场效应晶体管的性能分析，需要采用载流子波——量子波的概念来处理。通过计算沟道方向上量子波的分布和量 详情>>
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一、热电子晶体管原理二、几种典型的热电子晶体管一、热电子晶体管原理像常规的双极晶体管是依靠电子和空穴来工作的一样，热电子晶体管是依靠冷电子(与晶格热平衡的电子)和热电子来工作的。冷电子提供器件中不同层的电导，热电子携带输入信息，并使之在器件中放大。这种器件的典型结构很类似于双极晶体管，也具有发射区(E)、基区(B)和集电区(C)，两者的根本差别在于，在热电子晶体管的基区两侧各有一个势垒与发射区和集 详情>>
热轧流体管自定义热轧流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝的钢管。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。 流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝的钢管。用钢管制造环形零 详情>>
英特尔公司４日宣布，已开发出可投入大规模生产的三维结构晶体管，采用新型晶体管的芯片在能耗降低的同时，其性能有望得到大幅提升。英特尔当天还展示了代号为“常春藤桥”的２２纳米微处理器，并计划今年年底前完成批量生产该微处理器的准备工作。英特尔说，它将是首款采用新型三维晶体管的量产芯片。与目前在电脑等产品中得到广泛应用的二维晶体管相比，三维晶体管在技术上有突破之处。英特尔介绍说，其研究人员在２００２年发明 详情>>
从细菌到人类的细胞当中，都包含了某些蛋白质，从事类似于晶体管(Transistor)的工作。在一般晶体管中，电子在半导体当中的流动是受到电位差所控制；而在细胞当中，某些跨越细胞膜表面的蛋白质也是以电位差控制钠、钾、钙等离子进出细胞。这些由蛋白质所构成的离子信道，其功能单位一般由四个蛋白质次单元所组成，每一个蛋白质次单元又由六次往复缠绕的多月生月太(Polypeptide)所构成。这种六次往复缠绕的 详情>>
所谓数字晶体管（DigitalTransistor），英文名也称为BiasResistorTransistor，实际就是带电阻的晶体管,有的仅在基极上串联一只电阻,一般称为R1,有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2。电阻R1有多种电阻,类似标准电阻系列配制,电阻R2情况类似R1,,电阻R1与电阻R2可按多种方式搭配,因此数字晶体管的品种很多。 详情>>
双极型功率晶体管结构工作原理进展和应用双极型功率晶体管双极型功率晶体管（bipolarpowertransistor）最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。 详情>>
概述原理作用展望概述瑞士科学家表示，到2017年，利用量子隧道效应研制出的隧道场效应晶体管有望将计算机和手机的能耗减少到目前的百分之一。瑞士洛桑理工大学的科学家阿德里安·约内斯库在为英国《自然》杂志撰写的一篇文章中提出了上述看法，该文章是《自然》杂志有关硅的特别报道的一部分。约内斯库指出，目前，瑞士洛桑理工大学、IBM位于瑞士的实验室以及法国原子能委员会下属的电子信息技术研究所等机构的科学家都在进 详情>>
第一个碳纳米晶体管（CarbonNanotubeTransistor）阵列，是由IBM的研究人员制造出来的，利用这一突破性的晶体管技术，制造的芯片将比现在的硅芯片更小更快。碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他们逐个处理，即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明，碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低，而且碳纳 详情>>
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小口径流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以及建筑施工中用的钢脚手架等。用钢管制造环形零件，可提高材料利用率，简化制造工序，节约材料和加工工时，如滚动轴承套圈、千 详情>>
采用小外形封装结构的表面组装晶体管。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:新型双极晶体管数据手册作 者：张庆双出版社：科学出版社出版时间：2010年11月1日ISBN:9787030289872开本：16开定价:34.00元内容简介《新型双极晶体管数据手册》是“速查速用半导体数据手册”丛书之一，《新型双极晶体管数据手册》汇编了新型、常用双极晶体管（包括通用晶体管、高电流晶体管、高电压晶体管、开关晶体管、低噪声晶体管、高频晶体管、数字 详情>>
半导体物理释义物理意义半导体物理释义异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。物理意义双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可 详情>>
增强型场效应晶体管（EnhancementtypeFET）：这是“常断”的一种FET，即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。相反的是所谓耗尽型场效应晶体管，即在0栅偏压时就能够导电的器件。一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。而结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。增强的结型场效应晶体管（E-JFET） 详情>>
图书信息作者简介内容简介目录图书信息出版社:外语教学与研究出版社;第1版(2005年6月1日)丛书名:国家地理科学探索丛书平装:39页开本:16开ISBN:7560048579条形码:9787560048574尺寸:22.8x17.8x0.2cm重量:100g作者简介作者：（美国）费伦作者：（美国）费伦内容简介如果你希望在享受英语阅读乐趣的同时又能增长知识、开拓视野，由外语教学与研究出版社与美国国 详情>>
站在 时代 前沿 科学家 科学 学家 揭秘 晶体管 晶体 体管
概述简介研究背景应用概述钻石晶体管由日本研究人员研制成功，钻石通常电阻非常大，限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题，首次制成了双极型晶体管，为研制节能半导体元件开辟了新道路。简介钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率，但钻石通常电阻非常大，限制了其应用。2011年9月，日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题，首次制成了双极型晶体管，为研制节能半导体元件开辟了新 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:最新通用场效应晶体管置换手册作 者：《最新通用场效应晶体管置换手册》编写组出版社：机械工业出版社出版时间：2007年05月ISBN:9787111210993开本：16开定价:68.00元内容简介本书全面汇编了国内外电气与电子设备中所使用的场效应晶体管及其模块的实用关键参数和代换型号，内容涉及到2006年以前国内外场效应晶体管生产厂家生产的大部分最新场效应晶体 详情>>
3D三维晶体管-简介3D三维晶体管-特点3D三维晶体管-优势3D三维晶体管-发展历程3D三维晶体管-简介世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功，这项技术被称为“年度最重要技术”，3-DTri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。Intel于20 详情>>
概念系列概念金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（ComplementaryMOSIntegratedCircuit）。目前使用最最广泛的晶体管是CMOS晶体管，CMOS晶体管特点 详情>>
GB8163流体管是流体输送用无缝钢管（GB/T8163-1999），是用于输送水、油、气等流体的一般无缝钢管。GB8163流体管是一种具有中空截面，从头到尾的没有焊缝。钢管具有中空截面，大量用作输送流体的管输送石油、天然气、煤气、水及某些固体物料的管道等。钢管与圆钢等实心钢材相比，在抗弯抗扭强度相同时，重量较轻，是一种经济截面钢材，广泛用于制造结构件和机械零件，如石油钻杆、汽车传动轴、自行车架以 详情>>
一、概述IGBT中频电源装置是采用国际先进新型器件，IGBT（绝缘栅双极性晶体管）串联谐振式感应加热电源装置。主要用于各种金属材料及其合金的熔炼、透热和淬火领域。IGBT中频电源装置是老式可控硅中频电源的更新换代产品。潍坊科华电炉制造有限公司生产的IGBT中频熔炼炉具有输出功率大、节能省电、效率高、熔炼速度快、工作稳定可靠、故障率低等优点，而且工艺精良，使用维修极为方便，受到广大用户的欢迎。IGB 详情>>
图书信息内容提要目录图书信息书名:薄膜晶体管阵列制造技术作 者：谷至华出版社：复旦大学出版社出版时间：2007年09月ISBN:9787309056556开本：16开定价:45.00元内容提要高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thinfilmtransistor,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphoussilicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。全书 详情>>
在显示技术领域，以液晶显示（LCD）为代表的平板显示（FPD）已经取代传统的、体积笨重的CRT显示并占据主流地位，涵盖了从手机到大尺寸电视在内的各种显示应用领域。薄膜晶体管（TFT）已经成为电子平板显示行业的核心部件。本书阐述了基于氢化非晶硅和多晶硅的薄膜晶体管的发展、图案化及器件性能，同时强调了基于有机、有机-无机杂化半导体材料的新的、替代性及潜在突破性的技术。本书对我国读者了解国外TFT发展的 详情>>
薄膜 晶体管 晶体 体管 TFT 及其 平板 显示 中的 应用
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:薄膜晶体管及其在平板显示中的应用作 者：(美国)CherieRKaganpaulAndry出版社：电子工业出版社出版时间：2008年03月ISBN:9787121060045开本：16开定价:68.00元内容简介《薄膜晶体管(TFT)及其在平板显示中的应用》阐述了基于氢化非晶硅和多晶硅的薄膜晶体管的发展、性质、制造工艺、图案化及器件性能，同时强调了基于有机、有 详情>>
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。简介(概述原理)架构及分类(架构种类)显示器工业(工业介绍发展历程发展前景)主要制程(简述详述)简介概述简单说，TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Colo 详情>>
参见：场效应管 详情>>
场效应晶体管射频微波建模技术，作者：高建军，出版日期：2007-01,内容提要：本书是作者多年来在微波和光通信技术领域工作、学习、研究和教学过程中获得知识和经验的总结。本书主要研究内容包括微波信号网络矩阵技术和噪声网络矩阵技术，和依此为基础的场效应晶体管射频微波建模和测试技术。其中，微波射频场效应晶体管小信号等效电路模型，大信号非线性等效电路模型和噪声模型，以及模型参数的提取技术是本书的重点。内容 详情>>
超导场效应晶体管，SuperconductorFET（SFET）：这是一种利用超导沟道导电的绝缘栅场效应晶体管。它的源极和漏极的电极接触金属是超导体In（见图示）。由于超导体的相干长度——超导电子对之间的关联长度（关联效应的空间长度）大约为1nm~100nm（在这个长度内，可有很多个超导电子对），故与超导体In接触的常导体或者半导体薄膜也将成为超导态。从而对于较短的器件沟道，也可变为超导态，所以这 详情>>
超导热电子晶体管，即超导基区热电子晶体管（Superconductorbasehot-electrontransistor，SUBHT）：这是一种超导体/半导体兼容的器件。其原理性的基本结构见图示。这种晶体管的基区是超导体，因此其基极电阻很小，从而具有很好的高频、高速和低噪声性能。但是它所能承受的集电极电压很低，为了改进这一点，就在超导体基区与集电区之间加设一个半导体层，这就发展出了所谓超导基区半 详情>>
基本概念放大倍数接法用途基本概念达林顿管(DarlingtonTransistor)又称复合管。它采用复合连接方式,将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管,极性只认前面的三极管。放大倍数这等效三极管的放大倍数是是两个三极管放大倍数的乘积。接法达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN.前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。将前一级T1的 详情>>
一、概念二、分类三、性能比较四、应用一、概念大功率晶体管一般被称为功率器件，属于电力电子技术（功率电子技术）领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。二、分类功率器件从整体上可以分为不可控器件、半可控 详情>>
第一个单电子晶体管由贝尔实验室的Fulton等人制成1。典型的单电子晶体管如图示。量子点和外界被两个电容器和两个隧道结隔开。库仑菱形是这种电路具备的独特性质。而单电子充电效应是库仑菱形的起因。趋势原理现状趋势用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子 详情>>
电力MOS场效应管通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistor——SIT）。是一种单极型的电压控制全控型器件。特点——用栅极电压来控制漏极电流输入阻抗高驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性 详情>>
电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET），P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高；但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。 详情>>
参见：电力场效应晶体管 详情>>
电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。电力晶体管简介电力晶体管的结构电力晶体管工作原理电力晶体管特点电力晶体管的基本特性电力晶体 详情>>
参见：电力晶体管 详情>>
电力 晶体管 晶体 体管 GiantTransistor GTR
基本信息介绍基本信息多晶硅发射极晶体管，Polysiliconemittertransistor（PET）：多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。介绍多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重 详情>>
简介详细介绍简介输入端用二极管实现“与”逻辑，输出端用晶体管实现“非”逻辑,采用二极管电平位移的单元门电路,简称DTL电路。其基本电路如图1。在图1a中的二极管D1、D2和D3完成“与”逻辑,二极管D4和D5提供补偿电压,晶体管T完成“非”逻辑,并提供增益。二极管D1、D2和D3的数目和“与”门输入端A、B、C的数目相同,增加二极管可扩展输入端数。详细介绍图2是DTL电路的输入和输出电压传输特性。 详情>>
复合晶体管，指在IC中，常常把几个晶体管连接起来而构成具有一定功能的晶体管；在分析时一般是把它们当作一个整体来处理。常用的复合晶体管有达林顿（Darlington）晶体管、CC-CE复合管、复合p-n-p晶体管等。达林顿（Darlington）晶体管CC-CE复合管复合p-n-p晶体管达林顿（Darlington）晶体管达林顿晶体管是由两个n-p-n晶体管组合而成的一种复合晶体管（见图1）；其中第 详情>>
优点特性详解优点功率场效应晶体管（VF）又称VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比晶体管和MOS场效应管更好的特性。即是在大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率MOSFET，其优点表现在以下几个方面：1.具有较高的开关速度。2.具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因些适合进行并联使用。3.具有较高的可靠性。4.具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。5.具 详情>>
简介常见的功率晶体管基极驱动电路简介使功率晶体管按信号要求导通或截止的基极控制电路。用于控制电力电子电路中的功率晶体管的通断。在电力电子电路中，功率晶体管均作开关元件使用，因所控制的功率较大，基极控制电路与一般晶体管基极控制电路有所不同。对功率晶体管基极驱动电路的一般要求是：当信号要求功率晶体管导通时，提供足够大的基极驱动电流使其饱和导通；当信号要求功率晶体管截止时，切断基极电流或提供负的基极电流 详情>>
由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。简介主要作用最小的光晶体管(原理前景)简介光晶体管phototransistor由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电 详情>>
基本信息内容提要目录基本信息作者：胡守仁ISBN：10位[7810992716]13位[9787810992718]出版社：国防科技大学出版社出版日期：2006-11定价：￥32.00元内容提要本书是继《计算机技术发展史(一)》之后，叙述20世纪60年代至80年代计算机技术的发展历史，重点论述晶体管计算机、中小规模集成电路计算机、微处理器与个人计算机以及计算机网络的诞生与发展，其中包括这一时期中国 详情>>
计算机 计算 算机 技术 发展史 发展 展史 晶体管 晶体 体管 集成电路 集成 成电 电路 计算机 计算 算机
结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）：（1）基本概念：JFET是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道的JFET 详情>>
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。定义简述历史历史及重要里程碑优越性(构件没有消耗消耗电 详情>>
晶体管-晶体管逻辑电路（transistor-transistorlogic）。集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。简介早期发展(第一代第二代第三代)简介集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路，简称TTL电路。它是从二极管-晶体管逻辑电路(DTL)发展而来的。将DTL电路输入 详情>>
晶体管安全工作区，SafeOperatingArea（SOA）：对于双极型晶体管，能够安全、可靠地进行工作的电流和电压范围，即称为晶体管的安全工作区（如图示中的虚线区域）；超过此范围的电流和电压工作时晶体管即有可能发生损坏。安全工作区由最大允许集电极电流Icm、击穿电压BVceo、晶体管最大耗散功率Pcm和二次击穿等效应来决定。 详情>>
晶体管的工作状态（或工作模式）有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种。饱和状态就是晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.对于BJT（双极型晶体管）和对于FET（场效应晶体管）,饱和状态的含义大不相同，要特别注意区分开来。对于BJT对于FET（包括JFET和MOSFET等）对于BJT因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.B 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:晶体管电路作 者：(日本)饭高成男(日本)田口英雄出版社：科学出版社出版时间：2009年01月ISBN:9787030234087开本：16开定价:28.00元内容简介《晶体管电路》是“电工电子技术丛书”之一。《晶体管电路》共分11章，主要以讲解晶体三极管的工作原理为中心，介绍半导体的性质、晶体管的作用、晶体三极管放大电路基础、各种放大电路、功率放大电路、高频 详情>>
本书是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率M 详情>>
晶体管的工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就是输出电流与输入电流或者与输入电压成正比的一种工作状态。在输出伏安特性曲线上，放大状态所处的范围对于BJT和FET有所不同。(1)对于BJT：BJT的放大状态就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。因为BJT是电流控制的器件，故放大状态的输出电流与输入电流成正比。放大性能用电流放大系数表示（共基极组态是α和 详情>>
1954年，美国贝尔实验室研制成功第一台使用晶体管线路的计算机，取名“催迪克”（TRADIC），装有800个晶体管。概况简介发展状况晶体管计算机的发展有关晶体管(晶体管半导体三极管分类晶体管的影响)英文简述研制过程概况简介晶体管计算机是第二代电子计算机。在20世纪50年代之前第一代，计算机都采用电子管作元件。电子管元件在运行时产生的热量太多，可靠性较差，运算速度不快，价格昂贵，体积庞大，这些都使计 详情>>
简介特性简介这个是电路控制中的说法。在很多自动化设备中，电路最终都需要对一些执行部件（如电机、电磁铁）实施控制，电路对这些执行部件的控制可通过继电器、双向晶闸管、晶体管等开关器件进行，因此对于电路的输出端来说就有了与之对应的“继电器输出、双向晶闸管输出、晶体管输出”等类型。特性晶体三极管输出特性曲线（共发射极）晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生 详情>>
晶体管特性图示仪一般使用简介(1.“电压(v)/度”旋钮开关2.“电流/度”旋钮开关4.“功耗限制电阻”旋钮5.“基极阶梯信号”旋钮6.“零电压”、“零电流”开关)一般参数简介晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。一般使用简介1.“电压(v)/度”旋钮开关此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶 详情>>
简介晶体管分类(热噪声散粒噪声配分噪声1/f噪声)噪声系数场效应晶体管噪声简介BuBjingtiguanzaosheng晶体管噪声transistornoise在晶体管内，载流子的不规则运动引起不规则变化的电流起伏，因而产生不规则变化的电压起伏，这种不规则变化的电流和电压形成晶体管的噪声。晶体管噪声是晶体管的重要参数。晶体管分类晶体管按工作原理可分为两大类，一类是双极型晶体管；另一类是单极型晶体管 详情>>
最大耗散功率（Maximumdissipationpower）：（1）对于双极型晶体管：BJT的总耗散功率为Pc=IeVbe+IcVcb+Icrcs≈IcVcb），并且Pc关系到输出的最大交流功率Po：Po=(供给晶体管的直流功率Pd)–(晶体管耗散的功率Pc)=[η/(1–η)]Pc∝Pc，即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比（η=Po/Pd是转换效率）。晶体管功率的耗散(消耗)即发热，如果此 详情>>
耗尽型JFET的沟道掺杂浓度越高，原始沟道越宽，则夹断电压就越高；温度升高时，由于本征载流子浓度的提高和栅结内建电势的减小，则夹断电压降低。晶体管阈值电压（Thresholdvoltage）：场效应晶体管（FET）的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。（1）对于JFET：对于长沟道JFET，一般只有耗尽型的器件；SIT（静电感应晶体管）也可以看成为一种短沟道JFET，该器 详情>>
静电感应晶体管简称SIT，实际上是一种结型场效应晶体管。它是在普通结型场效应晶体管基础上发展起来的单极型电压控制器件，有源、栅、漏三个电极,它的源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。静电感应晶体管是一种多子导电的器件，适用于高频大功率场合。简介详细说明(静电感应晶体管结构分析静电感应晶体管结构形式)优点发展历史简介静电感应晶体管SIT(StaticInductionTransistor)诞生于197 详情>>
绝缘栅双极晶体管（Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT）综合了电力晶体管（GiantTransistor—GTR）和电力场效应晶体管（PowerMOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。简介IGBT的结构与工作原理IGBT的工作特性(静态特性动态特性)IGBT的工作原理(导通导通压降关断反向阻断正向阻断闩锁) 详情>>
绝缘栅双极晶体管（Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT）
参见：绝缘栅双极晶体管 详情>>绝缘 栅双 双极 晶体管 晶体 体管 Insulate-GateBipolarTransistor Insulate GateBipolarTransistor IGBT